价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号/规格: | FQD20N06TM | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
开启电压: | *(V) | |
夹断电压: | *(V) | |
跨导: | *(μS) | |
极间电容: | *(pF) | |
低频噪声系数: | *(dB) | |
漏极电流: | *(mA) | |
耗散功率: | *(mW) |
数据列表 FQP5N50C, FQPF5N50C
产品相片 TO-220-3 Pkg
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告 Passivation Material Change 14/May/2008
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 1.4 欧姆 @ 2.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5A
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 625pF @ 25V
功率 - 73W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220
包装 管件
数据列表 IRG4PH50KDPbF 产品相片 TO-247-3 标准包装 25类别 分离式半导体产品 家庭 IGBT - 单路 系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿() 1200V Vge, Ic时的Vce(开) 3.5V @ 15V, 24A 电流 - 集电极 (Ic)() 45A 功率 - 200W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC) 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 其它名称 *IRG4PH50KDPBF "
数据列表 IRG4PC30WPbF 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRG Series CircuitIR Transistor TO-247AC 标准包装 25类别 分离式半导体产品 家庭 IGBT - 单路 系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿() 600V Vge, Ic时的Vce(开) 2.7V @ 15V, 12A 电流 - 集电极 (Ic)() 23A 功率 - 100W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC) 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装