三极管 场效应 MOS管 IRFR120TR IRFR120 IRFR120NPBF IRFR12
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFR120TR | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 开启电压： | *（V） | |
| 夹断电压： | *（V） | |
| 跨导： | *（μS） | |
| 极间电容： | *（pF） | |
| 低频噪声系数： | *（dB） | |
| 漏极电流： | *（mA） | |
| 耗散功率： | *（mW） |
数据列表 IRFR120, IRFU120
产品相片 TO-252-2
标准包装 2,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 270 毫欧 @ 4.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.7A
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 16nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 360pF @ 25V
功率 - 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 带卷 (TR)
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管 三极管 场效应FQD20N06TM FQD20N06
信息内容：数据列表 FQP5N50C, FQPF5N50C 产品相片 TO-220-3 Pkg 产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing 产品变化通告 Passivation Material Change 14/May/2008 标准包装 50类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.4 欧姆 @ 2.5A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 24nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 625pF @ 25V 功率 - 73W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220 包装 管件"
MOS管 三极管 场效应 IRG4PH50K IRG4PH50KPBF IRG4PH50KD
信息内容：数据列表 IRG4PH50KDPbF 产品相片 TO-247-3 标准包装 25类别 分离式半导体产品 家庭 IGBT - 单路 系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿（） 1200V Vge, Ic时的Vce（开） 3.5V @ 15V, 24A 电流 - 集电极 (Ic)（） 45A 功率 - 200W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 (TO-247AC) 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 其它名称 *IRG4PH50KDPBF "
