IR原装场效应管 IRF4905SPBF F4905S IRF4905STRLPBF
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | IRF4905SPBF F4905S IRF4905STRLPBF | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
IR进口原装场效应管 IRF4905SPBF F4905S IRF4905STRLPBF
IR进口原装场效应管 IRF4905SPBF F4905S IRF4905STRLPBF
IRF4905SPBF F4905S IRF4905STRLPBF产品规格 参数
数据列表 IRF4905(S,L)PbF
产品相片 D2PAK, TO-263
标准包装 800
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 42A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 20 毫欧 @ 42A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 180nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3500pF @ 25V
功率 - 170W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
其它名称 IRF4905STRLPBF-ND
IRF4905STRLPBFTR
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
专营仙童全新原装场效应管 FCPF11N60 11N60
信息内容：专营仙童全新原装场效应管 FCPF11N60 11N60 专营仙童全新原装场效应管 FCPF11N60 11N60 FCPF11N60 11N60产品规格 参数 数据列表 FCP11N60, FCPF11N60 产品相片 FCPF11N60 产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing 产品目录绘图 MOSFET TO-220F 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 SuperFET™FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 11A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 5.5A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 52nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1490pF @ 25V 功率 - 36W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 TO-220F 包装 管件 产品目录页面 1608 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 FCPF11N60_NLFCPF11N60_NL-ND
原装IR场效应管 IRFD9220PBF IRFD9220 现货
信息内容：dzsc/19/1615/19161564.jpg原装IR场效应管 IRFD9220PBF IRFD9220 原装IR场效应管 IRFD9220PBF IRFD9220数据列表 IRFD9220 产品相片 IRFD9010PBF 产品目录绘图 IR(F,L)D Series TopIR(F,L)D Series Side 1IR(F,L)D Series Side 2 标准包装 2,500类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 560mA 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.5 欧姆 @ 340mA, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 15nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 340pF @ 25V 功率 - 1W 安装类型 通孔 封装/外壳 4-DIP（0.300", 7.62mm） 供应商设备封装 4-DIP，Hexdip，HVMDIP 包装 管件 其它名称 *IRFD9220PBF
