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原装IR场效应管 IRFD9220PBF IRFD9220 现货

价 格: 面议
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
型号/规格:IRFD9220PBF IRFD9220
材料:SIT静电感应
用途:NF/音频(低频)
品牌/商标:IR/国际整流器
沟道类型:N沟道
种类:结型(JFET)
导电方式:耗尽型

dzsc/19/1615/19161564.jpg原装IR场效应管 IRFD9220PBF  IRFD9220

 

原装IR场效应管 IRFD9220PBF  IRFD9220

数据列表 IRFD9220
 
产品相片 IRFD9010PBF
 
产品目录绘图 IR(F,L)D Series Top
IR(F,L)D Series Side 1
IR(F,L)D Series Side 2
 
标准包装 2,500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏极至源极电压(Vdss) 200V
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 560mA
 
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 1.5 欧姆 @ 340mA, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 340pF @ 25V
 
功率 - 1W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 4-DIP(0.300", 7.62mm)
 
供应商设备封装 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
 
包装 管件
 
其它名称 *IRFD9220PBF
 

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 陈义伟
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  • 传真:
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仙童场效应管 FQPF13N50C 原装现货出售

信息内容:

制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.48 Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值) : 15 S 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 13 A 功率耗散: 48 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 零件号别名: FQPF13N50C_NL

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信息内容:

TOSHIBA东芝进口原装场效应管 TK13A65U K13A65U TOSHIBA东芝进口原装场效应管 TK13A65U K13A65U TK13A65U K13A65U产品规格 参数 数据列表 TK13A65UMosfets Prod Guide 产品相片 TK13A65U(STA4,Q,M) 产品目录绘图 TO-220SIS Side 3TO-220SIS Side 2TO-220SIS Side 1 标准包装 500类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 650V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 13A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 6.5A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 950pF @ 10V 功率 - 40W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 TO-220SIS 包装 管件 其它名称 TK13A65U(STA4QM) 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 6.5A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 950pF @ 10V 功率 - 40W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 TO-220SIS 包装 管件 其它名称 TK13A65U(STA4QM)

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