价 格: | 面议 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
型号/规格: | IRFD9220PBF IRFD9220 | |
材料: | SIT静电感应 | |
用途: | NF/音频(低频) | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 结型(JFET) | |
导电方式: | 耗尽型 |
dzsc/19/1615/19161564.jpg原装IR场效应管 IRFD9220PBF IRFD9220
原装IR场效应管 IRFD9220PBF IRFD9220
数据列表 IRFD9220
产品相片 IRFD9010PBF
产品目录绘图 IR(F,L)D Series Top
IR(F,L)D Series Side 1
IR(F,L)D Series Side 2
标准包装 2,500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 560mA
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 1.5 欧姆 @ 340mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 340pF @ 25V
功率 - 1W
安装类型 通孔
封装/外壳 4-DIP(0.300", 7.62mm)
供应商设备封装 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包装 管件
其它名称 *IRFD9220PBF
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.48 Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值) : 15 S 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 13 A 功率耗散: 48 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 零件号别名: FQPF13N50C_NL
TOSHIBA东芝进口原装场效应管 TK13A65U K13A65U TOSHIBA东芝进口原装场效应管 TK13A65U K13A65U TK13A65U K13A65U产品规格 参数 数据列表 TK13A65UMosfets Prod Guide 产品相片 TK13A65U(STA4,Q,M) 产品目录绘图 TO-220SIS Side 3TO-220SIS Side 2TO-220SIS Side 1 标准包装 500类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 650V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 13A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 6.5A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 950pF @ 10V 功率 - 40W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 TO-220SIS 包装 管件 其它名称 TK13A65U(STA4QM) 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 6.5A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 950pF @ 10V 功率 - 40W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 TO-220SIS 包装 管件 其它名称 TK13A65U(STA4QM)