TOSHIBA东芝场效应管 TK13A65U K13A65U 全新原装
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | TK13A65U K13A65U | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
TOSHIBA东芝进口原装场效应管 TK13A65U K13A65U
TOSHIBA东芝进口原装场效应管 TK13A65U K13A65U
TK13A65U K13A65U产品规格 参数
数据列表 TK13A65U
Mosfets Prod Guide
产品相片 TK13A65U(STA4,Q,M)
产品目录绘图 TO-220SIS Side 3
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 13A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 6.5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 950pF @ 10V
功率 - 40W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 TO-220SIS
包装 管件
其它名称 TK13A65U(STA4QM)
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 6.5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 950pF @ 10V
功率 - 40W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 TO-220SIS
包装 管件
其它名称 TK13A65U(STA4QM)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
INFINEON英飞凌 IPP50R299CP原装场效应管/拆机MOS效应管
信息内容：INFINEON英飞凌 IPP50R299CP原装场效应管/拆机MOS效应管产品图片dzsc/19/1649/19164949.jpgdzsc/19/1649/19164949.jpgdzsc/19/1649/19164949.jpgINFINEON英飞凌MOS管产品介绍英飞凌infineon(EUPEC)IGBT模块和单管 H管系列 IHW15N120R3，IHW20N120R3，IHW25N120R3，IHW30N160R2，IHW40T120，IHY15N120R3，IHY20N120R3，IHW30N90R K管系列 IKW08T120，IKW15T120，IKW25T120，IKW40T120，IKW25N120T2，IKW40N120T2，IKW20N60T，IKW30N60T， IKW50N60T，IKW75N60T MOSFET管 SPA11N60C3，SPA20N60C3，SPA11N80C3，SPW20N60C3，SPW47N60C3，SPP07N60C3，SPP15N60C3，SPP20N60C3，SPP11N80C3，IPW60R045CP，SPW17N80C3，SPD04N60C3， SPD07N60C3，SPW24N60C3，SPW35N60C3，SPA12N50C3，SPA17N80C3，IPB065N06L G，IPB081N06L3 GINFINEON英飞凌MOS管产品质量新年份,全新原装,进口无铅;散新拆机包测,质量问题包退换INFINEON英飞凌 IPP50R299CP原装场效应管/拆机MOS效应管 INFINEON英飞凌 IPP50R299CP产品规格 Datasheets IPP50R299CPProduct Photos TO-220-3Product Training Modules CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs ConvertersCatalog Drawings MOSF...
IR全新原装场效应管IRF2807PBF
信息内容：dzsc/19/1693/19169321.jpg产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 13 m Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 38 S 汲极/源极击穿电压: 80 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 82 A 功率耗散: 230 W 工作温度: 175 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 最小工作温度: - 55 C "
