价 格: | 面议 | |
品牌: | INFINEON/英飞凌 | |
型号: | IPP50R299CP | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
开启电压: | 33(V) | |
夹断电压: | 33(V) | |
跨导: | 33(μS) | |
极间电容: | 33(pF) | |
低频噪声系数: | 33(dB) | |
漏极电流: | 33(mA) | |
耗散功率: | 33(mW) |
INFINEON英飞凌 IPP50R299CP原装场效应管/拆机MOS效应管产品图片 |
dzsc/19/1649/19164949.jpg |
INFINEON英飞凌MOS管产品介绍 | |
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INFINEON英飞凌MOS管产品质量 |
新年份,全新原装,进口无铅;散新拆机包测,质量问题包退换
INFINEON英飞凌 IPP50R299CP产品规格 |
联系方式 |
联系地址:广东省 深圳市华强北电子/汕头贵屿华美村华星路 联系电话:13410377061 传真号码:0755-82894329 腾讯QQ:838205202
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公司简介 |
公司长期供应电子元器件,为工厂,外贸提供配套服务,提高客户的工作效率及降低客户缺货或者涨价的风险. |
dzsc/19/1693/19169321.jpg产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 13 m Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值) : 38 S 汲极/源极击穿电压: 80 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 82 A 功率耗散: 230 W 工作温度: 175 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 最小工作温度: - 55 C "
INFINEON英飞凌MOS管产品图片dzsc/19/1713/19171322.jpgdzsc/19/1713/19171322.jpgdzsc/19/1713/19171322.jpgINFINEON英飞凌MOS管产品介绍英飞凌infineon(EUPEC)IGBT模块和单管DN2系列BSM50GB120DN2,BSM100GB120DN2K, S4系列FF100R12KS4,FF150R12KS4,FF200R12KS4,FF300R12KS4,FZ400R12KS4,FZ600R12KS4F4系列F4-50R12MS4,F4-75R12MS4,KT3/4系列FF75R12RT4,FF100R12RT4,FF150R12RT4,FF200R12KT4,FF300R12KT4,FF450R12KT4,FF150R12KT3G,FF200R12KT3,FF400R12KT3H管系列IHW15N120R3,IHW20N120R3,IHW25N120R3,IHW30N160R2,IHW40T120,IHY15N120R3,IHY20N120R3,IHW30N90RMOSFET管SPA11N60C3,SPA20N60C3,SPA11N80C3,SPW20N60C3,SPW47N60C3,SPP07N60C3,SPP15N60C3,SPP20N60C3,SPP11N80C3,IPW60R045CP,SPW17N80C3,SPD04N60C3, SPD07N60C3,SPW24N60C3,SPW35N60C3,SPA12N50C3,SPA17N80C3,IPB065N06L G,IPB081N06L3 G...INFINEON英飞凌MOS管产品质量新年份,全新原装,进口无铅;散新拆机包测,质量问题包退换制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS...