专营仙童全新原装场效应管 FCPF11N60 11N60
| 价 格： | 4.00 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FCPF11N60 11N60 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | SENSEFET电流敏感 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
专营仙童全新原装场效应管 FCPF11N60 11N60
专营仙童全新原装场效应管 FCPF11N60 11N60
FCPF11N60 11N60产品规格 参数
数据列表 FCP11N60, FCPF11N60
产品相片 FCPF11N60
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
产品目录绘图 MOSFET TO-220F
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 SuperFET™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 11A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 5.5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 52nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1490pF @ 25V
功率 - 36W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 TO-220F
包装 管件
产品目录页面 1608 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 FCPF11N60_NL
FCPF11N60_NL-ND
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
原装IR场效应管 IRFD9220PBF IRFD9220 现货
信息内容：dzsc/19/1615/19161564.jpg原装IR场效应管 IRFD9220PBF IRFD9220 原装IR场效应管 IRFD9220PBF IRFD9220数据列表 IRFD9220 产品相片 IRFD9010PBF 产品目录绘图 IR(F,L)D Series TopIR(F,L)D Series Side 1IR(F,L)D Series Side 2 标准包装 2,500类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 560mA 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.5 欧姆 @ 340mA, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 15nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 340pF @ 25V 功率 - 1W 安装类型 通孔 封装/外壳 4-DIP（0.300", 7.62mm） 供应商设备封装 4-DIP，Hexdip，HVMDIP 包装 管件 其它名称 *IRFD9220PBF
仙童场效应管 FQPF13N50C 原装现货出售
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.48 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 15 S 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 13 A 功率耗散: 48 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 零件号别名: FQPF13N50C_NL
