供应QM15HA-H三菱模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM15HA-H\t/15A/600V/1U | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应QM15HA-H三菱模块
绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。
图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region ）。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
为了兼顾长期以来人们的习惯，IEC规定：源极引出的电极端子（含电极端）称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。
相似型号：
型号（1单元600V）GTR技术指标 型号（1单元600V）GTR 技术指标QM15HA-H 15A/600V/1U QM150HY-H 150A/600V/1U
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QM50HA-H(HB) 50A/600V/1U QM400HA-H 400A/600V/1U
QM50HB-H 50A/600V/1U QM 500HA-H 500A/600V/1U
QM75HA-H 75A/600V/1U QM600HD-M 600A/400V/1U
QM100HA-H 100A/600V/1U QM100HC-M 100A/350V/1U
QM75E1Y-H 75A/600V/1U QM200HC-M 200A/350V/1U
QM100HY-H 100A/600V/1U QM300HC-M 300A/350V/1U
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供应三菱模块QM50DY-H（HB）
信息内容：供应三菱模块QM50DY-H（HB） IGBT的工作原理 N沟型的 IGBT工作是通过栅极－发射极间加阀值电压VTH以上的（正）电压，在栅极电极正下方的p层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的n-层注入电子。该电子为p+n-p晶体管的少数载流子，从集电极衬底p+层开始流入空穴，进行电导率调制（双极工作），所以可以降低集电极－发射极间饱和电压。在发射极电极侧形成n+pn－寄生晶体管。若n+pn－寄生晶体管工作，又变成p+n－ pn+晶闸管。电流继续流动，直到输出侧停止供给电流。通过输出信号已不能进行控制。一般将这种状态称为闭锁状态。 为了抑制n+pn-寄生晶体管的工作IGBT采用尽量缩小p+n-p晶体管的电流放大系数α作为解决闭锁的措施。具体地来说，p+n-p的电流放大系数α设计为0.5以下。 IGBT的闭锁电流IL为额定电流（直流）的3倍以上。IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，通断由栅射极电压uGE决定。 相似型号： 型号（2单元 600V）GTR 技术指标 型号（2单元 600V）GTR 技术指标 QM30DY-H（HB） 30A/600V/2U QM20DX-H 20A/600V/2U QM50DY-H（HB） 50A/600V/2U QM30DX-H 30A/600V/2U QM75D1X-H 75A/600V/2U QM50DX-H 50A/600V/2U QM75DY...
供应三菱模块QM1000HA-2H（24）（B）
信息内容：供应三菱模块QM1000HA-2H（24）（B） IGBT 的工作特性中的静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏极电流限制，其值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示： ...
