供应三菱模块QM1000HA-2H（24）（B）
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM1000HA-2H（24）（B）1000A/1000V/（1200V）/1U | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块QM1000HA-2H（24）（B）
IGBT 的工作特性中的静态特性
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏极电流限制，其值一般取为15V左右。
IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示：
Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh
式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。
通态电流Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流过MOSFET 的电流。
由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。
相似型号：
QM400HA-2H（24）（B） 400A/1000V/（1200V）/1UQM50HY-2H 50A/1000V/1U
QM600HA-2H（24）（B） 600A/1000V/（1200V）/1U
QM100HY-2H 100A/1000V/1U
QM800HA-2H（24）（B） 800A/1000V/（1200V）/1U
QM1000HA-2H（24）（B） 1000A/1000V/（1200V）/1U
- 所属城市：北京 北京市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 朱青
- 电话：010-59264989/59946198
- 传真：010-59919079
- 手机：13901002894
- QQ ：
供应QM100HY-2H三菱模块
信息内容：供应QM100HY-2H三菱模块 2P系列NPT—IGBT模块的特点 FUJIP系列IGBT采用NPT工艺制造，比PT(PunchThrough)IGBT有更多的优越性，特别适用于变频器、交流伺服系统、UPS、电焊电源等领域，其显著特点如下： (1)电流额定值是在Tc=800℃时标出的。 (2)P系列IGBT的VCE(SAT)与温度成正比，易于并联。 (3)开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当结温升高时，其开关损耗比PT-IGBT增加的少，因此P系列模块更适合高频应用。 (4)1400V系列模块可用于AC380V至575V的功率变换设备中。 (5)P系列中，尤其是1400V模块比PT-IGBT有更大的安全工作区，反偏安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍，SCSOA可达额定电流的十倍。因此，吸收电路可大大地简化，同时，短路承受能力也大大提高。 (6)低损耗、软开关，它的dv/dt只有普通模块的1/2，大大降低了EMI噪声。 相似型号： QM400HA1-2H 400A/1000V/1U QM30HY-2H 30A/1000V/1U QM400HA-2H（24）（B） 400A/1000V/（1200V）/1U QM50HY-2H 50A/1000V/1U QM600HA-2H（24）（B） 600A/1000V...
供应QM600HA-24B三菱模块
信息内容：供应QM600HA-24B三菱模块 IGBT—PIM IGBT的模块内置整流模块电路、逆变主回路和再生回路，以降低损耗和降低成本，这种新型模块称为功率集成模块，简称PIM(PowerIntegratedModule)。IGBT模块是一种高速开关，第四代IGBT在开发中主要采取如下几项新技术。 (1)FWD(FreeWheelingDiode)技术 在模块中选用降低正向电压(VF)的二极管器件，据测试在600V和1200V系列中，逆变器载波频率为10kHz时产生的损耗与旧系列相比降低20%。 (2)蚀刻模块单元的微细化技术 由于控制极的宽度(LH)已达到化设计，故集电—射极之间的饱和电压VCE(SAT)可降低0.5V，使开关损耗降低。 (3)NPT(NonPunchThrough)技术 使载流子寿命得到控制，从而减少开关损耗对温度的依存性。这样，可减少长期使用过程中的开关损耗。 对于IGBT这类高速开关的要求无非是高速性和柔性恢复性。对于正向电压VF和恢复损耗Err二者相比，在设计时宁可选择较高的VF值。但当选用高VF值在变频器低频工作时，将会使FWD的导通时间加长并使平均损耗增加，也使变频器在低速高力矩时温升提高。为此第四代IGBT特别注意到设计的电极构造，从而改善了VF、...
