供应QM100HY-2H三菱模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM100HY-2H 100A/1000V/1U | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应QM100HY-2H三菱模块
2P系列NPT—IGBT模块的特点FUJIP系列IGBT采用NPT工艺制造，比PT(PunchThrough)IGBT有更多的优越性，特别适用于变频器、交流伺服系统、UPS、电焊电源等领域，其显著特点如下：
(1)电流额定值是在Tc=800℃时标出的。
(2)P系列IGBT的VCE(SAT)与温度成正比，易于并联。
(3)开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当结温升高时，其开关损耗比PT-IGBT增加的少，因此P系列模块更适合高频应用。
(4)1400V系列模块可用于AC380V至575V的功率变换设备中。
(5)P系列中，尤其是1400V模块比PT-IGBT有更大的安全工作区，反偏安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍，SCSOA可达额定电流的十倍。因此，吸收电路可大大地简化，同时，短路承受能力也大大提高。
(6)低损耗、软开关，它的dv/dt只有普通模块的1/2，大大降低了EMI噪声。
相似型号：
QM400HA1-2H 400A/1000V/1U
QM30HY-2H 30A/1000V/1U
QM400HA-2H（24）（B） 400A/1000V/（1200V）/1U
QM50HY-2H 50A/1000V/1U
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QM800HA-2H（24）（B） 800A/1000V/（1200V）/1U
QM1000HA-2H（24）（B） 1000A/1000V/（1200V）/1U
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供应QM600HA-24B三菱模块
信息内容：供应QM600HA-24B三菱模块 IGBT—PIM IGBT的模块内置整流模块电路、逆变主回路和再生回路，以降低损耗和降低成本，这种新型模块称为功率集成模块，简称PIM(PowerIntegratedModule)。IGBT模块是一种高速开关，第四代IGBT在开发中主要采取如下几项新技术。 (1)FWD(FreeWheelingDiode)技术 在模块中选用降低正向电压(VF)的二极管器件，据测试在600V和1200V系列中，逆变器载波频率为10kHz时产生的损耗与旧系列相比降低20%。 (2)蚀刻模块单元的微细化技术 由于控制极的宽度(LH)已达到化设计，故集电—射极之间的饱和电压VCE(SAT)可降低0.5V，使开关损耗降低。 (3)NPT(NonPunchThrough)技术 使载流子寿命得到控制，从而减少开关损耗对温度的依存性。这样，可减少长期使用过程中的开关损耗。 对于IGBT这类高速开关的要求无非是高速性和柔性恢复性。对于正向电压VF和恢复损耗Err二者相比，在设计时宁可选择较高的VF值。但当选用高VF值在变频器低频工作时，将会使FWD的导通时间加长并使平均损耗增加，也使变频器在低速高力矩时温升提高。为此第四代IGBT特别注意到设计的电极构造，从而改善了VF、...
供应三菱模块QM400HA-24B
信息内容：供应三菱模块QM400HA-24B 1IGBT—PIM IGBT的模块内置整流模块电路、逆变主回路和再生回路，以降低损耗和降低成本，这种新型模块称为功率集成模块，简称PIM(PowerIntegratedModule)。IGBT模块是一种高速开关，第四代IGBT在开发中主要采取如下几项新技术。 (1)FWD(FreeWheelingDiode)技术 在模块中选用降低正向电压(VF)的二极管器件，据测试在600V和1200V系列中，逆变器载波频率为10kHz时产生的损耗与旧系列相比降低20%。 (2)蚀刻模块单元的微细化技术 由于控制极的宽度(LH)已达到化设计，故集电—射极之间的饱和电压VCE(SAT)可降低0.5V，使开关损耗降低。 (3)NPT(NonPunchThrough)技术 使载流子寿命得到控制，从而减少开关损耗对温度的依存性。这样，可减少长期使用过程中的开关损耗。 对于IGBT这类高速开关的要求无非是高速性和柔性恢复性。对于正向电压VF和恢复损耗Err二者相比，在设计时宁可选择较高的VF值。但当选用高VF值在变频器低频工作时，将会使FWD的导通时间加长并使平均损耗增加，也使变频器在低速高力矩时温升提高。为此第四代IGBT特别注意到设计的电极构造，从而改善了VF、...
