供应三菱模块QM200HA-H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM200HA-H\t /200A/600V/1U | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块QM200HA-H
防止静电IGBT的VGE的耐压值为±20V，在IGBT模块上加出了超出耐压值的电压的场合，由于会导致损坏的危险，因而在栅极-发射极之间不能超出耐压值的电压，这点请注意。
在使用装置的场合，如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时（珊极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止这类损坏情况发生，应在栅极一发射极之间接一只10kΩ左左的电阻为宜。
此外，由于IGBT模块为MOS结构，对于静电就要十分注意。因此，请注意下面几点：
1) 在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部份。
2) 在用导电材料连接驱动端子的模块时，在配线未布好之前，请先不要接上模块。
3) 尽量在底板良好接地的情况下操作。
4) 当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电放电后，再触摸。
5) 在焊接作业时，焊机与焊槽之间的漏泄容易引起静电压的产生，为了防止静电的产生，请先将焊机处于良好的接地状态下。
6) 装部件的容器，请选用不带静电的容器。
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供应QM15HA-H三菱模块
信息内容：供应QM15HA-H三菱模块 绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region ）。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 为了兼顾长期以来人们的习惯，IEC规定：源极引出的电极端子（含电极端）称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。 相似型号： 型号（1单元600V）GTR技术指标 型号（1单元600V）GTR 技术指标 QM15HA-H 15A/600V/1U QM150HY-H 150A/600V/1U QM20...
供应三菱模块QM50DY-H（HB）
信息内容：供应三菱模块QM50DY-H（HB） IGBT的工作原理 N沟型的 IGBT工作是通过栅极－发射极间加阀值电压VTH以上的（正）电压，在栅极电极正下方的p层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的n-层注入电子。该电子为p+n-p晶体管的少数载流子，从集电极衬底p+层开始流入空穴，进行电导率调制（双极工作），所以可以降低集电极－发射极间饱和电压。在发射极电极侧形成n+pn－寄生晶体管。若n+pn－寄生晶体管工作，又变成p+n－ pn+晶闸管。电流继续流动，直到输出侧停止供给电流。通过输出信号已不能进行控制。一般将这种状态称为闭锁状态。 为了抑制n+pn-寄生晶体管的工作IGBT采用尽量缩小p+n-p晶体管的电流放大系数α作为解决闭锁的措施。具体地来说，p+n-p的电流放大系数α设计为0.5以下。 IGBT的闭锁电流IL为额定电流（直流）的3倍以上。IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，通断由栅射极电压uGE决定。 相似型号： 型号（2单元 600V）GTR 技术指标 型号（2单元 600V）GTR 技术指标 QM30DY-H（HB） 30A/600V/2U QM20DX-H 20A/600V/2U QM50DY-H（HB） 50A/600V/2U QM30DX-H 30A/600V/2U QM75D1X-H 75A/600V/2U QM50DX-H 50A/600V/2U QM75DY...
