供应QM30HA-H三菱模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | QM30HA-H(HB)/30A/600V/1U | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应QM30HA-H三菱模块
1. IGBT模块的选定 在使用IGBT模块的场合，选择何种电压，电流规格的IGBT模块，需要做周密的考虑。 a. 电流规格 IGBT模块的集电极电流增大时，VCE(-)上升，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，原件发热加剧。因此，根据额定损耗，开关损耗所产生的热量，控制器件结温（Tj）在 150oC以下（通常为安全起见，以125oC以下为宜），请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热也加剧，需十分注意。一般来说，要将集电极电流的值控制在直流额定电流以下使用，从经济角度这是值得推荐的。 b.电压规格 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即市电电源电压紧密相关。其相互关系列于表1。根据使用目的，并参考本表，请选择相应的元件。
| 元器件电压规格 | |||
| 600V | 1200V | 1400V | |
| 电源 电压 | 200V；220V；230V；240V | 346V；350V；380V；400V；415V；440V | 575 |
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供应三菱模块QM200HA-H
信息内容：供应三菱模块QM200HA-H 防止静电 IGBT的VGE的耐压值为±20V，在IGBT模块上加出了超出耐压值的电压的场合，由于会导致损坏的危险，因而在栅极-发射极之间不能超出耐压值的电压，这点请注意。 在使用装置的场合，如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时（珊极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止这类损坏情况发生，应在栅极一发射极之间接一只10kΩ左左的电阻为宜。 此外，由于IGBT模块为MOS结构，对于静电就要十分注意。因此，请注意下面几点： 1) 在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部份。 2) 在用导电材料连接驱动端子的模块时，在配线未布好之前，请先不要接上模块。 3) 尽量在底板良好接地的情况下操作。 4) 当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电放电后，再触摸。 5) 在焊接作业时，焊机与焊槽之间的漏泄容易引起静电压的产生，为了防止静电的产生，请先将焊机处于良好的接地状态下。 6) 装部件的容器，请选用不带静电的容器。 相似型号： 型号（1单元600V）GTR技术指标 型号（1单元600V）GTR 技术...
供应QM15HA-H三菱模块
信息内容：供应QM15HA-H三菱模块 绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region ）。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 为了兼顾长期以来人们的习惯，IEC规定：源极引出的电极端子（含电极端）称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。 相似型号： 型号（1单元600V）GTR技术指标 型号（1单元600V）GTR 技术指标 QM15HA-H 15A/600V/1U QM150HY-H 150A/600V/1U QM20...
