场效应管 IRLR8729TRLPBF,IRLR8729,LR8729
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | IRLR8729TRLPBF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,58A,0.0089Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
IRLR8729TRLPBF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,58A,0.0089Ω
产品型号:IRLR8729TRLPBF
应用
* 高频率同步降压转换器的计算机处理器电源
* 高频隔离DC-DC转换器，电信和工业使用的同步整流
优点：
* 非常低的RDS（ON），在4.5V VGS
* 超低栅极阻抗
* 充分界定雪崩电压和电流
* 无铅
* 符合RoHS标准
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):58
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0089 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.35
功率PD(W):55
输入电容Ciss(PF):1350 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：91
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.
上升时间Tr(ns):47 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,58A N-沟道增强型场效应晶体管
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三极管 2SC3320,C3320
信息内容：产品型号:2SC3320特点:高电压，高速开关高可靠性应用:开关稳压器超声波发生器高频逆变器通用电源放大器封装:TO-3P通道极性:NPN集电极-基极电压VCBO(V):500集电极-发射极电压VCEO(V):400发射极-基极电压VEBO(V):7集电极电流 IC(A):15功率PC(W):80特征频率fT(MHZ):放大倍数hFE:10集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :1.5结温Tj(℃)150存储温度T stg(℃): -65 ~150描述:400V,15A NPN硅晶体管"
场效应管 CS1N60A3H,CS2N60A3H,CS2N60
信息内容：CS1N60A3H,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,0.8A,15Ω产品型号:CS1N60A3H概述：硅CS1N60A3H，N-沟道的增强VDMOSFETs，是通过以下方式获得的自对准的平面技术，能够降低导通损耗，提高开关性能和增强的雪崩能量。的晶体管可以使用在各种电源的开关电路，用于系统的小型化和更高的效率。封装形式为TO-251，符合RoHS标准。产品特点： * 开关速度快 * 低导通电阻（导通电阻≤15Ω） * 低栅极电荷（典型数据：5.0nC） * 低反向传输电容（典型：2.7pF） * 100％的单脉冲雪崩能量测试应用范围： * 电源开关电路的电源适配器和充电器。 * 符合RoHS标准封装:TO-251源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):0.8源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):30输入电容Ciss(PF):92 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：0.7单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.上升时间Tr(ns):26 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.下降时间Tf(ns):27 typ.温度(℃): -55 ~150描述:600V,0.8A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
