三极管 2SC3320,C3320
| 价 格： | 面议 | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 型号/规格： | 2SC3320,TO-3P,DIP/三极管,NPN,400V,15A | |
| 材料： | 硅(SI)、硅(SI)、硅(SI) | |
| 品牌/商标： | FUJI/富士通 | |
| 封装： | TO-3P | |
| 应用范围： | 功率 |
产品型号:2SC3320
特点:
高电压，高速开关
高可靠性
应用:
开关稳压器
超声波发生器
高频逆变器
通用电源放大器
封装:TO-3P
通道极性:NPN
集电极-基极电压VCBO(V):500
集电极-发射极电压VCEO(V):400
发射极-基极电压VEBO(V):7
集电极电流 IC(A):15
功率PC(W):80
特征频率fT(MHZ):
放大倍数hFE:10
集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :1.5
结温Tj(℃)150
存储温度T stg(℃): -65 ~150
描述:400V,15A NPN硅晶体管
"- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 CS1N60A3H,CS2N60A3H,CS2N60
信息内容：CS1N60A3H,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,0.8A,15Ω产品型号:CS1N60A3H概述：硅CS1N60A3H，N-沟道的增强VDMOSFETs，是通过以下方式获得的自对准的平面技术，能够降低导通损耗，提高开关性能和增强的雪崩能量。的晶体管可以使用在各种电源的开关电路，用于系统的小型化和更高的效率。封装形式为TO-251，符合RoHS标准。产品特点： * 开关速度快 * 低导通电阻（导通电阻≤15Ω） * 低栅极电荷（典型数据：5.0nC） * 低反向传输电容（典型：2.7pF） * 100％的单脉冲雪崩能量测试应用范围： * 电源开关电路的电源适配器和充电器。 * 符合RoHS标准封装:TO-251源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):0.8源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):30输入电容Ciss(PF):92 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：0.7单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.上升时间Tr(ns):26 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.下降时间Tf(ns):27 typ.温度(℃): -55 ~150描述:600V,0.8A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应 STP3NK60ZFP,P3NK60ZFP,STP3NK60Z
信息内容：STP3NK60ZFP,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,2.4A,3.6Ω产品型号:STP3NK60ZFP特点： * 典型的RDS（ON）=3.3Ω * 极高dv/dt能力 * 100％的雪崩测试 * 栅极电荷最小化 * 非常低的固有电容 * 制造重复性非常好说明超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为最苛刻的应用。这种充满了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。应用 * 大电流，高开关速度 * 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC * 照明封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):2.4源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.6 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4.5功率PD(W):20输入电容Ciss(PF):311 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：1.8单脉冲雪崩能量EAS(mJ):150导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.上升时间Tr(ns):14 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):19 typ.下降时间Tf(ns):14 typ.温度(℃): -55 ~150描述:600V,2.4A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
