场效应管 AP25N10GH-HF,25N10GH,AP9997GH
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | AP25N10GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,100V,23A,0.08Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | APEC/富鼎 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
AP25N10GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,100V,23A,0.08Ω
产品型号:AP25N10GH-HF
特点：
* 低栅极电荷
* 单驱动器要求
* 符合RoHS及无卤素
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):23
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.08 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):96
输入电容Ciss(PF):1060 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：14
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.
上升时间Tr(ns):28 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ.
下降时间Tf(ns):2 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:100V,23A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 IRLR8729TRLPBF,IRLR8729,LR8729
信息内容：IRLR8729TRLPBF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,58A,0.0089Ω产品型号:IRLR8729TRLPBF应用 * 高频率同步降压转换器的计算机处理器电源 * 高频隔离DC-DC转换器，电信和工业使用的同步整流优点： * 非常低的RDS（ON），在4.5V VGS * 超低栅极阻抗 * 充分界定雪崩电压和电流 * 无铅 * 符合RoHS标准封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):58源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0089 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):2.35功率PD(W):55输入电容Ciss(PF):1350 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：91单脉冲雪崩能量EAS(mJ):导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.上升时间Tr(ns):47 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.下降时间Tf(ns):10 typ.温度(℃): -55 ~175描述:30V,58A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
三极管 2SC3320,C3320
信息内容：产品型号:2SC3320特点:高电压，高速开关高可靠性应用:开关稳压器超声波发生器高频逆变器通用电源放大器封装:TO-3P通道极性:NPN集电极-基极电压VCBO(V):500集电极-发射极电压VCEO(V):400发射极-基极电压VEBO(V):7集电极电流 IC(A):15功率PC(W):80特征频率fT(MHZ):放大倍数hFE:10集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :1.5结温Tj(℃)150存储温度T stg(℃): -65 ~150描述:400V,15A NPN硅晶体管"
