场效应管 2SK2651-01MR,K2651,2SK2651
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FJD日本富士电机 | |
| 型号： | 2SK2651-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，6A，2.5Ω | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 4.5（V） | |
| 夹断电压： | ±30（V） | |
| 跨导： | 4S（μS） | |
| 极间电容： | 900（pF） | |
| 漏极电流： | 6A（mA） | |
| 耗散功率： | 50W（mW） |
2SK2651-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，6A，2.5Ω
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MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
900V N沟道 场效应管（MOSFET）:
2SK2651-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，6A，2.5Ω
FMV10N90E，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，10A，
FMH07N90G，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，7A，2Ω
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2SK3532-01MR,TO-220F,08 ,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω
2SK2671,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,5A,2.8Ω
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1000V N沟道 场效应管（MOSFET）:
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场效应管 AP25N10GH-HF,25N10GH,AP9997GH
信息内容：AP25N10GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,100V,23A,0.08Ω产品型号:AP25N10GH-HF特点： * 低栅极电荷 * 单驱动器要求 * 符合RoHS及无卤素封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):23源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.08 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):96输入电容Ciss(PF):1060 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：14单脉冲雪崩能量EAS(mJ):导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.上升时间Tr(ns):28 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ.下降时间Tf(ns):2 typ.温度(℃): -55 ~150描述:100V,23A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
场效应管 IRLR8729TRLPBF,IRLR8729,LR8729
信息内容：IRLR8729TRLPBF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,58A,0.0089Ω产品型号:IRLR8729TRLPBF应用 * 高频率同步降压转换器的计算机处理器电源 * 高频隔离DC-DC转换器，电信和工业使用的同步整流优点： * 非常低的RDS（ON），在4.5V VGS * 超低栅极阻抗 * 充分界定雪崩电压和电流 * 无铅 * 符合RoHS标准封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):58源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0089 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):2.35功率PD(W):55输入电容Ciss(PF):1350 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：91单脉冲雪崩能量EAS(mJ):导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.上升时间Tr(ns):47 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.下降时间Tf(ns):10 typ.温度(℃): -55 ~175描述:30V,58A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
