场效应 2SK2364 K2364 2SK2543 K2543
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 32A | |
| 型号/规格： | 2SK2364,MOS,500V,8A,0.6Ω 2SK2543,MOS,500V,8A,0.85Ω,220F | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | NEC/日本电气 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 夹断电压： | ±30 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 极间电容： | 1600 |
产品型号:2SK2364
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V): 30/-30
漏极电流Id(A):8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.6 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3.5
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):1600
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):320
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,8A N-Channel 功率MOSFET
产品型号:2SK2543
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V): 30/-30
漏极电流Id(A):8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
极间电容Ciss(PF):1300
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):312
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,8A N-Channel 功率MOSFET
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场效应管 2SK2651-01MR,K2651,2SK2651
信息内容：2SK2651-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，6A，2.5Ω<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应!MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.900V N沟道 场效应管（MOSFET）:2SK2651-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，6A，2.5ΩFMV10N90E，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，10A，FMH07N90G，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，7A，2ΩFMH09N90G，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，9A，1.4ΩFMH06N90G，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，6A，2.5ΩKHB9D0N90F1 TO-220F KEC DIP/MOS N 900V 9A 1.4ΩKHB9D0N90N1 TO-3P KEC DIP/MOS N 900V 9A 1.4Ω2SK3532-01MR,TO-220F,08 ,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω2SK2671,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,5A,2.8ΩFQU2N90TU TO-251 05NPB FAIRCHILD DIP/MOS N场 900V 1.7A 7.2Ω2SK2767 FUJ TO-220SSP3N90A FAIRCHILD TO-2202SK3566 TOSHIBA TO-220FFS3KM-18A RENESAS/瑞萨 TO-220FSS...
场效应管 AP25N10GH-HF,25N10GH,AP9997GH
信息内容：AP25N10GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,100V,23A,0.08Ω产品型号:AP25N10GH-HF特点： * 低栅极电荷 * 单驱动器要求 * 符合RoHS及无卤素封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):23源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.08 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):96输入电容Ciss(PF):1060 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：14单脉冲雪崩能量EAS(mJ):导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.上升时间Tr(ns):28 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ.下降时间Tf(ns):2 typ.温度(℃): -55 ~150描述:100V,23A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
