MOS AP70L02P,AP70L02S,70L02S,AP70L02
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | AP | |
| 型号/规格： | AP70L02P,TO-220,AP/富鼎,DIP/MOS,25V.66A | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 3（V） | |
| 夹断电压： | ±20（V） | |
| 极间电容： | 790（pF） | |
| 漏极电流： | 66A（mA） | |
| 耗散功率： | 66W（mW） |
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热卖场效应-MOS，TO-220系列，全新!价格优惠!现货供应!
AOT428/BL中国,TO-220,AO,DIP/MOS,75V.80A
AP70L02P,TO-220,AP/富鼎,DIP/MOS,25V.66A
AP40N03P,TO-220,AP/富鼎,DIP/MOS,30V.40A
AP60N03P,TO-220,AP/富鼎,DIP/MOS,30V.60A
AP40T03GP,TO-220,AP/富鼎,DIP/MOS,30V.40A
AP6679P,TO-220,AP/富鼎,DIP/MOS,-30V.-75A
AP02N60P,TO-220,AP/富鼎,DIP/MOS,600V.2A
CEPF640,TO-220,CET/华瑞,DIP/MOS,200V.18A
CEP703AL,TO-220,CET/华瑞,DIP/MOS,30V.40A
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源
（DIP）场效应： 30V-80V：FDP6676、FDU6680、IRLU3103、IRLU7821、ISL9N312AD3、STP55NF06、STP60NF06、STP65NF06、...等
（DIP）场效应：100V-400V:IRFB4310 2SK1101=2SK2952、FDP3652、FS20KM-5、IRF630、IRFS640B。IRLI3615。STP11NB40ZFP
IRFIB7N50APBF、STP19NB20FP
（DIP）场效应：500V-900V：2SK1010、2SK2101、2SK3505、2SK3683、FS3KM-18A、IRFS830B、SPA06N80C3\...等
（SMD）场效应：30V-80V:AP60N03、BUK109-50DL、FDD6030BL、FDB8870、FDD8896、IPD06N03LAG、
IPD09N03LAG\NTD60N02\NTD70N03、NTD85N02R、PFD3002、PFD3008、
PFD3010、PFD3014、PFS3000、PFS3010...等
（SMD）场效应：100V-400V:FR220、IRFR15N20、FQD13N10、IRFL110、IRFW740ATM、NTD12N10T4G、SI9420DY等
（SMD）场效应：500V-900V:AP01N60H、FQD3P50、IRR430B、MTB6N60ET4、MTD1N60ET4等
公司简介:
深圳市金城微零件有限公司是一家经营半导体电子元件公司,是深圳电子商会常务理事单位.公司拥有一批经验丰富,技术力量雄厚的技术人才,并有大量库存现货,能为不同的客戶提供各种配套服务.
现经销国内外多家名厂产品,经营各种三极管、场效应管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列,主要应用于开关电源(如:充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯等)电脑板卡(超小内阻、小体积大体积各种各样场效应管、低压差稳压)、玩具遥控飞机、遥控船等.低压差稳压,为你延长电池使用时间,场效应为你解决压降温升等等问题.
我们将一如既往以“高品质、低价格、一流的技术和一流的服务”为宗旨,为广大厂商提供更优良的服务.
在新世纪,成功更依靠电子科技和信息.深圳市金城微零件有限公司以“创优势,求发展”的概念,诚意欢迎各位同行、有志之仕加入合作,本着互助互利的目标共创新优势.
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场效应 2SK2364 K2364 2SK2543 K2543
信息内容：产品型号:2SK2364封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500夹断电压VGS(V): 30/-30漏极电流Id(A):8源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.6 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3.5功率PD(W):35极间电容Ciss(PF):1600通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：4单脉冲雪崩能量EAS(mJ):320温度(℃): -55 ~150描述:500V,8A N-Channel 功率MOSFET 产品型号:2SK2543封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500夹断电压VGS(V): 30/-30漏极电流Id(A):8源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40极间电容Ciss(PF):1300通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：7单脉冲雪崩能量EAS(mJ):312温度(℃): -55 ~150描述:500V,8A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
场效应管 2SK2651-01MR,K2651,2SK2651
信息内容：2SK2651-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，6A，2.5Ω<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应!MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.900V N沟道 场效应管（MOSFET）:2SK2651-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，6A，2.5ΩFMV10N90E，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，10A，FMH07N90G，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，7A，2ΩFMH09N90G，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，9A，1.4ΩFMH06N90G，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，6A，2.5ΩKHB9D0N90F1 TO-220F KEC DIP/MOS N 900V 9A 1.4ΩKHB9D0N90N1 TO-3P KEC DIP/MOS N 900V 9A 1.4Ω2SK3532-01MR,TO-220F,08 ,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω2SK2671,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,5A,2.8ΩFQU2N90TU TO-251 05NPB FAIRCHILD DIP/MOS N场 900V 1.7A 7.2Ω2SK2767 FUJ TO-220SSP3N90A FAIRCHILD TO-2202SK3566 TOSHIBA TO-220FFS3KM-18A RENESAS/瑞萨 TO-220FSS...
