场效应管-N沟道 IRL2203N L2203N 进口IR原装 TO220封装
| 价 格： | 3.00 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | IRL2203N L2203N | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 用途： | CC/恒流 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 类型： | 其他IC |
型号：IRL2203N
品牌：IR
封装：TO220
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液晶电源芯片ST-MOS管 W15NB50 STW15NB50【500V 14.6A 80W】
信息内容：【产品规格参数】型号：STW15NB50品牌：ST封装：TO3Pdzsc/19/1512/19151274.jpg元件为全新原装，经常有客户购买，性能非常好。值得推荐哦！dzsc/19/1512/19151274.jpgdzsc/19/1512/19151274.jpg【场效应管的作用】1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。 有订单的客户，可以提供样品，让您满意检验产品
IR-功率场效应管 IRF830 IRF830N IRF830PBF NPN 500V 4.5A
信息内容：dzsc/19/1513/19151364.jpgIRF830信息资料： IRF830，采用TO-220AB封装方式。晶体管极性: N沟道电压, Vds: 500V开态电阻, Rds(on): 1.4ohm功耗: 74W封装类型: TO-220AB针脚数: 3功率, Pd: 74W封装类型: TO-220AB晶体管数: 1晶体管类型: MOSFET温度@电流测量: 25°C满功率温度: 25°C热阻,结至外壳A: 1.7°C/W电压Vgs @ Rds on测量: 10V电压, Vds典型值: 500V电流, Id连续: 5A电流, Idm脉冲: 20A表面安装器件: 通孔安装阈值电压, Vgs th典型值: 4.5V阈值电压, Vgs th: 4V
