液晶电源芯片ST-MOS管 W15NB50 STW15NB50【500V 14.6A 80W】
| 价 格： | 5.00 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 型号/规格： | W15NB50 STW15NB50 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 耗散功率： | 80W | |
| 开启电压： | 500 | |
| 漏极电流： | 14.6 |
【产品规格参数】
型号：STW15NB50
品牌：ST
封装：TO3P
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元件为全新原装，经常有客户购买，性能非常好。值得推荐哦！
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【场效应管的作用】
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
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IR-功率场效应管 IRF830 IRF830N IRF830PBF NPN 500V 4.5A
信息内容：dzsc/19/1513/19151364.jpgIRF830信息资料： IRF830，采用TO-220AB封装方式。晶体管极性: N沟道电压, Vds: 500V开态电阻, Rds(on): 1.4ohm功耗: 74W封装类型: TO-220AB针脚数: 3功率, Pd: 74W封装类型: TO-220AB晶体管数: 1晶体管类型: MOSFET温度@电流测量: 25°C满功率温度: 25°C热阻,结至外壳A: 1.7°C/W电压Vgs @ Rds on测量: 10V电压, Vds典型值: 500V电流, Id连续: 5A电流, Idm脉冲: 20A表面安装器件: 通孔安装阈值电压, Vgs th典型值: 4.5V阈值电压, Vgs th: 4V
东芝场效应MOS管 2SK2399 K2399 2SK2399-Z【100V 5A】
信息内容：dzsc/19/1521/19152133.jpg产品型号：2SK2399产品品牌：东芝封装形式：TO252参数资料dzsc/19/1521/19152133.jpg【开票说明】本公司购物金额满100元以上可以开普通发票.税点加6%。如需要开具17%点的增值税票,请联系我们详谈！【交易说明】1.支付宝（我们制作阿里巴巴网交易连接，让您拍下，我们安排发货，您收到货确认无误，再确认货款）2.货到付款（目前只支持广东省内的客户）3.款到发货（您把货款汇到公司提供的银行帐号，再安排发货）
