IR-功率场效应管 IRF830 IRF830N IRF830PBF NPN 500V 4.5A
| 价 格： | 1.10 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 集电极允许电流ICM： | 4.5A | |
| 型号/规格： | IRF830 IRF840 IRF820 IRF740 IRF730 IRF640 IRF630 IRF530 IRF540 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 截止频率fT： | 2 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
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IRF830信息资料：
IRF830，采用TO-220AB封装方式。
晶体管极性: N沟道
电压, Vds: 500V
开态电阻, Rds(on): 1.4ohm
功耗: 74W
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
功率, Pd: 74W
封装类型: TO-220AB
晶体管数: 1
晶体管类型: MOSFET
温度@电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
热阻,结至外壳A: 1.7°C/W
电压Vgs @ Rds on测量: 10V
电压, Vds典型值: 500V
电流, Id连续: 5A
电流, Idm脉冲: 20A
表面安装器件: 通孔安装
阈值电压, Vgs th典型值: 4.5V
阈值电压, Vgs th: 4V
结型场效应管 深圳市福田区朝鸿电子商行
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 刘朝鸿
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