价 格: | 3.00 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRL3705NS | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
低频噪声系数: | 1 | |
极间电容: | 1 | |
漏极电流: | 1 |
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HEXFET®
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:10 毫欧 @ 46A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:89A
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