场效应管 AP85U03GH-HF,60T03GH,AP73T02
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | AP85U03GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,75A,0.0055Ω | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 品牌/商标： | APEC/富鼎 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
产品型号:AP85U03GH-HF
特点：
低导通电阻
简单的驱动要求
快速开关特性
符合RoHS及无卤素
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):60
输入电容Ciss(PF):2910 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：53
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273
导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.
上升时间Tr(ns):87 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):36 typ.
下降时间Tf(ns):103 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
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三极管 MJE13005,ST13005A,ST13005
信息内容：产品型号:MJE13005这些设备是专为高电压，高速功率开关电感电路下降时间是至关重要的。特别适用于115和220 V开关模式的应用，如开关稳压器，逆变器，电机控制，电磁阀/继电器驱动器和偏转电路封装:TO-220极性:NPN集电极-基极电压VCBO(V):700集电极-发射极电压VCEO(V):400发射极-基极电压VEBO(V):9集电极电流 IC(A):4功率PC(W):75特征频率fT(MHZ):4放大倍数hFE:10-60 8-40集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :1.6结温Tj(℃)150存储温度Tstg(℃): -65 ~150描述:400V 4A NPN硅晶体管特点.VCEO（SUS）400 V.感性负载的反向偏置SOA@ TC = 100？C.电感的开关矩阵2至4个A，25和100℃TC@ 3A，100℃时为180 ns（典型值）.700 V阻断能力.SOA和开关应用信息.无铅包装是可用高电压开关模式应用.高速开关.适用于开关稳压器和电机控制
场效应管 CED41A2,CMU06N02
信息内容：CED41A2,TO-251,DIP/MOS,N场,20V,36A,0.02ΩIRLU3714,IR,TO-251,DIP/MOS,N场,20V,36ACMU06N02N,Cmosfet,TO-251,DIP/MOS,N场,20V,60AIRLU3714,IR,TO-251,DIP/MOS,N场,20V,36ANTD60N02R-1G,ON,TO-251,DIP/MOS,N场,24V,62ASTD70N02L-1,ST,TO-251,DIP/MOS,N场,24V,60ANTD80N02G,ON,TO-251,DIP/MOS,N场,24V,80ASTD55NH2LL-1,ST,TO-251,DIP/MOS,N场,24V,40A如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
