价 格: | 0.10 | |
批号: | 11+ | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
类型: | 驱动IC | |
型号/规格: | SVD2N60 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
品牌/商标: | SILAN/士兰微 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装: | TO220 |
特点:
* 低启动电流(6μA)
* 抖动的振荡频率可以降低EMI
* 过流保护
* 过压保护
* 欠压锁定
* 内置温度保护
* 内部集成高压MOSFET
* 自动重启
* 内部软启动电路
* 打嗝模式
* 逐周期限流
应用范围:
* 小型功率设配器
* 手机/PDA,便携式媒体播放器,MP3/MP4,无线电话系统的充电器
* DVD/DVB,小型喷墨打印机,SOHO网络终端产品的内置开关电源系统
* 电视机,电磁炉,空调,洗衣机,家用电脑,ATX电源等产品的辅助电源系统
* 隔离式LED照明系统
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