场效应管 BSC028N06LS3G,028N06LS
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | BSC028N06LS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,100A,0.0028Ω | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
BSC028N06LS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,100A,0.0028Ω
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:BSC028N06LS3G
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):100
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0028
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):139
极间电容Ciss(PF):13000
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 /-55 ~150
描述:60V ,100A N-Channel 功率MOSFET
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场效应管 IRFD1Z0 IRFD210 FD1Z0
信息内容：产品型号:IRFD1Z0封装:dip-4源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):0.5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.2 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):1输入电容Ciss(PF):50 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：0.35单脉冲雪崩能量EAS(mJ):导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.上升时间Tr(ns):15 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.下降时间Tf(ns):10 typ.温度(℃): -55 ~150描述:100V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 RJK0349DPA,RJK0348DPA
信息内容：产品型号:RJK0349DPA特点 * 高速开关 * 可4.5 V栅极驱动器 * 低驱动电流 * 高密度安装 * 低导通电阻RDS(ON)= 2.4mΩ TYP.(VGS=10V) * 无铅封装:QFN-8 5*6/WPAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):45源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0031 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):2.5功率PD(W):50输入电容Ciss(PF):3850 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：110单脉冲雪崩能量EAR(mJ):62.5导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.上升时间Tr(ns):6.5 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):58 typ.下降时间Tf(ns):9.8 typ.温度(℃): -55 ~150描述:30V,45A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
