场效应管 IRFD1Z0 IRFD210 FD1Z0
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 0.5A,0.6A | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFD1Z0,MOS,100V,0.5A,2.4Ω IRFD210,MOS,200V,0.6A,1.5Ω,DIP-4 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 开启电压： | 4 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 夹断电压： | 20 |
产品型号:IRFD1Z0
封装:dip-4
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.2 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):1
输入电容Ciss(PF):50 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.35
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.
上升时间Tr(ns):15 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:100V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管
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场效应管 RJK0349DPA,RJK0348DPA
信息内容：产品型号:RJK0349DPA特点 * 高速开关 * 可4.5 V栅极驱动器 * 低驱动电流 * 高密度安装 * 低导通电阻RDS(ON)= 2.4mΩ TYP.(VGS=10V) * 无铅封装:QFN-8 5*6/WPAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):45源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0031 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):2.5功率PD(W):50输入电容Ciss(PF):3850 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：110单脉冲雪崩能量EAR(mJ):62.5导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.上升时间Tr(ns):6.5 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):58 typ.下降时间Tf(ns):9.8 typ.温度(℃): -55 ~150描述:30V,45A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 IPB147N03LG 147N03L
信息内容：dzsc/19/1317/19131773.jpgIPB147N03LG,MOS,30V,20A,0.0147Ω,263
