场效应管 RJK0349DPA,RJK0348DPA
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | RJK0349DPA,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,N场,30V,45A,0.0031Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | RENESAS/瑞萨 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:RJK0349DPA
特点
* 高速开关
* 可4.5 V栅极驱动器
* 低驱动电流
* 高密度安装
* 低导通电阻RDS(ON)= 2.4mΩ TYP.(VGS=10V)
* 无铅
封装:QFN-8 5*6/WPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):45
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0031 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):3850 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：110
单脉冲雪崩能量EAR(mJ):62.5
导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.
上升时间Tr(ns):6.5 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):58 typ.
下降时间Tf(ns):9.8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,45A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 IPB147N03LG 147N03L
信息内容：dzsc/19/1317/19131773.jpgIPB147N03LG,MOS,30V,20A,0.0147Ω,263
供应 SGD02N60,SGD04N60,04N60
信息内容：<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应!infineon IGBT系列:SGD02N60 SOT-252 600V 2A SGD06N60 SOT-252 600V 6A 07 SGD02N120 SOT-252 1200V 2A 03 SGD04N60 SOT-252 600V 4A 07 K4N60LV SOT-252 600V 4A 07 BTS2140-1B SOT-263 0 0 07NPBSGB20N60 SOT-263 0 0 06NPBSKB15N60 SOT-263 600V 31A 06NPBIKB06N60T SOT-263 600V 6A 07NPBSGB02N120 SOT-263 1200V 2A 06NPBHGT1S10N120BNS SOT-263 1200V 32A 05 IKP20N60T TO-220 600V 20A 07NPBSGP10N60A TO-220 600V 10A 07NPBIKP06N60T TO-220 600V 6A 07NPBSGP15N60 TO-220 600V 15A 06NPBBUP314 TO-3P 1200V 52A
