MOS IPA028N08N3 G 028N08N
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | IPA028N08N3 G,TO220F,Infineon,DIP/MOS,N场,80V,89A,0.0028Ω | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 3.5（V） | |
| 夹断电压： | ±20（V） | |
| 极间电容： | 14200（pF） | |
| 漏极电流： | 89A（mA） | |
| 耗散功率： | 42W（mW） |
IPA028N08N3 G,TO220F,Infineon,DIP/MOS,N场,80V,89A,0.0028Ω
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MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
75V 80V 场效应管系列：
IPA028N08N3 G,TO220F,Infineon,DIP/MOS,N场,80V,89A,0.0028Ω
IPA100N08N3 G,TO220F,Infineon,DIP/MOS,N场,80V,40A,0.01Ω
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IPA057N08N3G infineon TO-220F DIP/MOS N场 80V 60A 0.0057Ω
75N75 TO-220 DIP/MOS N场 75V 75A 0
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AOT430 AO TO-220 DIP/MOS N场 75V 80A 0.0115Ω
BUK7509-75A PHILIPS TO-220 DIP/MOS N场 75V 75A 0.009Ω
FDP047AN08AO FAIRCHILD TO-220 DIP/MOS N场 75V 80A 0.0047Ω
HFP75N75 SemiHow TO-220 DIP/MOS N场 75V 75A 0
IRF2807 IR TO-220 DIP/MOS N场 75V 82A 0.013Ω
IRFB3207ZPbF IR TO-220 DIP/MOS N场 75V 170A 0.0041Ω
PHP110NQ08LT NXP/恩智浦 TO-220 DIP/MOS N场 75V 75A 0.0085Ω
PHP160NQ08T PHILIPS TO-220 DIP/MOS N场 75V 75A 0
PJP75N75 PANJIT/强茂 TO-220 DIP/MOS N场 75V 75A 0.012Ω
STK7575P AUK TO-220 DIP/MOS N场 75V 75A 0.015Ω
STP75NF75 ST TO-220 DIP/MOS N场 75V 80A 0.011Ω
STP75NF75L ST TO-220 DIP/MOS N场 75V 75A 0
TK80E08K3 TOSHIBA TO-220 DIP/MOS N场 75V 80A 0
HUF75545P3 FAIRCHILD TO-220 DIP/MOS N场 80V 75A 0.01Ω
LTP90N08 LITEON/光宝 TO-220 DIP/MOS N场 80V 90A 0.009Ω
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SUB75N08-09L VISHAY SOT-263 SMD/MOS N场 75V 75A 0
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SPD22N08S2L-50 infineon SOT-252 SMD/MOS N场 75V 25A 0.05Ω
D3N08L FAIRCHILD SOT-252 SMD/MOS N场 80V 3A 0
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RFD3N08L intersil SOT-252 SMD/MOS N场 80V 3A 0.8Ω
IRFU3518TRL-701 IR 252反贴 SMD/MOS N场 80V 38A 0.029Ω
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场效应管 BSC028N06LS3G,028N06LS
信息内容：BSC028N06LS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,100A,0.0028ΩMOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.产品型号:BSC028N06LS3G源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):100源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0028开启电压VGS(TH)(V):2.2功率PD(W):139极间电容Ciss(PF):13000通道极性:N沟道封装/温度(℃):QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 /-55 ~150描述:60V ,100A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 IRFD1Z0 IRFD210 FD1Z0
信息内容：产品型号:IRFD1Z0封装:dip-4源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):0.5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.2 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):1输入电容Ciss(PF):50 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：0.35单脉冲雪崩能量EAS(mJ):导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.上升时间Tr(ns):15 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.下降时间Tf(ns):10 typ.温度(℃): -55 ~150描述:100V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
