场效应管 PHP83N03LT,P152NQ03
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | NXP/恩智浦 | |
| 型号/规格： | PHP83N03LT,TO-220,NXP,DIP/MOS,25V.75A | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 1-2（V） | |
| 夹断电压： | 15（V） | |
| 极间电容： | 3140（pF） | |
| 漏极电流： | 75A（mA） | |
| 耗散功率： | 150W（mW） |
<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应!
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
PHILIPS/NXP MOSFET场效应管系列:
BUK109,PHB96NQ03 ,PHP160NQ08,PHB50N03,PHD78NQ03
PHP14NQ20,PHB55N03,PSMN025-100,PHD3055,PHD45N03
PSMN010-55,PHP45N03,PHD78NQ03LT ,PHP33NQ20T
PHP9NQ20,BUK481,PHD37N06,PHD55N03,PHD98N03
PHP98N03,BUK7524,PHB69N03,PHB95N03LTA,PHB96NQ03LT
PHB98N03,PHP108NQ03,PHP55N03,PHP78NQ03,BUK9510
PHP45N03LTA,PHP52N06T,PHX7NQ60,PH5330,PHB50N03LT
PHD101NQ03,PHD63NQ03,PHB45N03,PHB83N03,PHB95N03
BUK752R7-30B,TO-220,30V,241A,0.0027Ω
BUK7213-40A,SOT-252,40V,78A,0.013Ω
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MOS IPA028N08N3 G 028N08N
信息内容：IPA028N08N3 G,TO220F,Infineon,DIP/MOS,N场,80V,89A,0.0028Ω<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢！！全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.75V 80V 场效应管系列：IPA028N08N3 G,TO220F,Infineon,DIP/MOS,N场,80V,89A,0.0028ΩIPA100N08N3 G,TO220F,Infineon,DIP/MOS,N场,80V,40A,0.01ΩIPP139N08N3 G,TO220,Infineon,DIP/MOS,N场,80V,45A,0.0139ΩIPA037N08N3 G,TO220F,Infineon,DIP/MOS,N场,80V,75A,0.0037ΩHUF75545S3 FAIRCHILD TO-262 DIP/MOS N场 80V 75A 0.01ΩIRFU2407PBF IR TO-251 DIP/MOS N场 75V 42A 0.026ΩIRFP2907Z IR TO-247 DIP/MOS N场 75V 170A 0.0045ΩSTP75N75FP ST TO-220F DIP/MOS N场 75V 80A 0.011ΩIPA028N08N3G infineon TO-220F DIP/MOS N场 80V 89A 0.0028ΩIPA057N08N3G infineon TO-220F DIP/MOS N场 80V 60A 0.0057Ω75N75 TO-220 DIP/MOS N场 75V 75A 0AOT428 AO TO-220...
场效应管 BSC028N06LS3G,028N06LS
信息内容：BSC028N06LS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,100A,0.0028ΩMOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.产品型号:BSC028N06LS3G源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):100源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0028开启电压VGS(TH)(V):2.2功率PD(W):139极间电容Ciss(PF):13000通道极性:N沟道封装/温度(℃):QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 /-55 ~150描述:60V ,100A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
