场效应管 HFU2N60 HFU1N60
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | SEMIHOW | |
| 型号/规格： | HFU2N60，TO-251，KIA，DIP/MOS，N场，600V，1.8A，5Ω | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | 30 | |
| 极间电容： | 340 | |
| 漏极电流： | 1.8A |
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HFU2N60，TO-251，KIA，DIP/MOS，N场，600V，1.8A，5Ω
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 PHP83N03LT,P152NQ03
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MOS IPA028N08N3 G 028N08N
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