原装墨西哥/中国产地 IRFP360LC IRFP360LCPBF 场效应管全系列
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR-VISHAY | |
| 型号： | IRFP360LC IRFP360LCPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | P-FET硅P沟道 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
原装墨西哥/中国产地 IRFP360LC IRFP360LCPBF 场效应管全系列
原装墨西哥/中国产地 IRFP360LC IRFP360LCPBF 场效应管全系列
IRFP360LC IRFP360LCPBF产品规格 参数
数据列表 IRFP460LC
产品相片 TO-247-3
产品目录绘图 IRFP Series Side 1
IRFP Series Side 2
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 270 毫欧 @ 12A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3600pF @ 25V
功率 - 280W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFP460LCPBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
TOSHIBA东芝全新原装MOS场效应管 2SK3562 K3562
信息内容：TOSHIBA东芝全新原装MOS场效应管 2SK3562 K3562TOSHIBA东芝全新原装MOS场效应管 2SK3562 K3562 2SK3562 K3562产品规格 参数 Datasheets 2SK3562Mosfets Prod GuideProduct Photos 2SK3562(Q)Catalog Drawings TO-220SIS Side 3TO-220SIS Side 2TO-220SIS Side 1Standard Package 50Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries -FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 600VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6ARds On (Max) @ Id, Vgs 1.25 Ohm @ 3A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mAGate Charge (Qg) @ Vgs 28nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 1050pF @ 25VPower - Max 40WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3 Full PackSupplier Device Package TO-220SISPackaging TubeCatalog Page 1439 (US2011 Interactive)1439 (US2011 PDF)Other Names 2SK3562Q
FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FDP3632
信息内容：FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FDP3632FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FDP3632 FDP3632产品规格 参数数据列表 FDB3632, FDH3632, FDI3632, FDP3632 产品相片 TO-220-3, TO-220AB 产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing 产品目录绘图 MOSFET TO-220AB 标准包装 400类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 PowerTrench®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 9 毫欧 @ 80A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 110nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 6000pF @ 25V 功率 - 310W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1605 (CN2011-ZH PDF)
