TOSHIBA东芝全新原装MOS场效应管 2SK3562 K3562
| 价 格： | 2.00 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | 2SK3562 K3562 | |
| 材料： | SB肖特基势垒栅 | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
TOSHIBA东芝全新原装MOS场效应管 2SK3562 K3562
TOSHIBA东芝全新原装MOS场效应管 2SK3562 K3562
2SK3562 K3562产品规格 参数
Datasheets 2SK3562
Mosfets Prod Guide
Product Photos 2SK3562(Q)
Catalog Drawings TO-220SIS Side 3
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 28nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1050pF @ 25V
Power - Max 40W
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package TO-220SIS
Packaging Tube
Catalog Page 1439 (US2011 Interactive)
1439 (US2011 PDF)
Other Names 2SK3562Q
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
- 手机：
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FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FDP3632
信息内容：FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FDP3632FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FDP3632 FDP3632产品规格 参数数据列表 FDB3632, FDH3632, FDI3632, FDP3632 产品相片 TO-220-3, TO-220AB 产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing 产品目录绘图 MOSFET TO-220AB 标准包装 400类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 PowerTrench®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 9 毫欧 @ 80A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 110nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 6000pF @ 25V 功率 - 310W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1605 (CN2011-ZH PDF)
VISHAY原装场效应管 IRFP264PBF
信息内容：dzsc/19/1280/19128008.jpg制造商: Vishay 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.075 Ohms 汲极/源极击穿电压: 250 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 38 A 功率耗散: 280 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247AC 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 500
