FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FDP3632
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FDP3632 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FDP3632
FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FDP3632
FDP3632产品规格 参数
数据列表 FDB3632, FDH3632, FDI3632, FDP3632
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
产品目录绘图 MOSFET TO-220AB
标准包装 400
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 PowerTrench®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 9 毫欧 @ 80A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 6000pF @ 25V
功率 - 310W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1605 (CN2011-ZH PDF)
- 所属城市：广东 深圳
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VISHAY原装场效应管 IRFP264PBF
信息内容：dzsc/19/1280/19128008.jpg制造商: Vishay 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.075 Ohms 汲极/源极击穿电压: 250 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 38 A 功率耗散: 280 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247AC 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 500
FSC仙童场效应管 KA5M0365R 原装 假一赔十!
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