价 格: | 0.10 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
产品类型: | 放大二极管 | |
是否进口: | 是 | |
品牌/商标: | TOSHIBA/东芝 | |
型号/规格: | 1SV280 | |
材料: | 硅(Si) | |
主要参数: | 电压,电流 | |
用途: | L波段VCO | |
备注: | 东芝 |
属性 | 值 | 条件 |
部件型号 | 1SV280 | |
用途 | L波段VCO | |
容量CT(管壳1) | 3.8 to 4.7 pF | VR=2V |
容量CT(管壳2) | 1.5 to 2 pF | VR=10V |
串联电阻 , typ | 0.44 Ω | |
电容率, typ | 2.4 | |
配置 | Single | |
封装 | ESC (0.8 x 1.6) | |
管脚数 | 2 | |
表面安装型 | Y | |
产品分类 | 变容二极管(电调谐用器件) | |
反向电压VR | 15 V | |
装配基础 | 日本, 泰国 | |
RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
属性值条件部件型号1SV239 用途L波段VCO 容量CT(管壳1)3.8 to 4.7 pFVR=2V容量CT(管壳2)1.5 to 2 pFVR=10V串联电阻 , typ0.44 Ω 电容率, typ2.4 配置Single 封装USC (1.25 x 2.5) 管脚数2 表面安装型Y 产品分类变容二极管(电调谐用器件) 反向电压VR15 V 装配基础日本, 泰国 RoHS Compatible Product(s) (#)Available
属性值条件部件型号TK5P50D 极性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID5 A 漏功耗PD80 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)11 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.5 Ω 封装DPAK 管脚数3 表面安装型Y 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 装配基础 RoHS Compatible Product(s) (#)Available