| 价 格: | 0.10 | |
| 品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号: | TK5P50D | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | L/功率放大 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压: | 1(V) | |
| 夹断电压: | 1(V) | |
| 跨导: | 1(μS) | |
| 极间电容: | 1(pF) | |
| 低频噪声系数: | 1(dB) | |
| 漏极电流: | 1(mA) | |
| 耗散功率: | 1(mW) |
| 属性 | 值 | 条件 |
| 部件型号 | TK5P50D | |
| 极性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 500 V | |
| 漏电流ID | 5 A | |
| 漏功耗PD | 80 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 11 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 1.5 Ω | |
| 封装 | DPAK | |
| 管脚数 | 3 | |
| 表面安装型 | Y | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) | |
| 装配基础 | ||
| RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
部件型号2SK117 极性N沟 门-漏极电压VGDS-50 V 门电流IG10 mA 漏极电流IDSS, max14 mA 漏极电流IDSS, min1.2 mA 正向传输导纳|Yfs|, min4 mS 封装TO-92 管脚数3 表面安装型N 备注通用 产品分类结型FET(引线型) RoHS Compatible Product(s) (#)Available
属性值条件部件型号TLP185 * 特征高隔离度电压 封装:外形形状SO6 管脚数4 电路数1 表面安装型Y 等级分类BLL,GB,GR,GRH,GRL,Y,- 转换效率(最小)50%IF=5mA, VCE=5V, rank=- 50%IF=5mA, VCE=5V, rank=Y 100%IF=5mA, VCE=5V, rank=GR 200%IF=5mA, VCE=5V, rank=BLL 100%IF=5mA, VCE=5V, rank=GB 75%IF=5mA, VCE=5V, rank=YH 100%IF=5mA, VCE=5V, rank=GRL 150%IF=5mA, VCE=5V, rank=GRH转换效率()400%IF=5mA, VCE=5V, rank=- 150%IF=5mA, VCE=5V, rank=Y 300%IF=5mA, VCE=5V, rank=GR 400%IF=5mA, VCE=5V, rank=BLL 400%IF=5mA, VCE=5V, rank=GB 150%IF=5mA, VCE=5V, rank=YH 200%IF=5mA, VCE=5V, rank=GRL 300%IF=5mA, VCE=5V, rank=GRH绝缘耐压BVS@1minute (最小)3750 Vrms 集电极-发射极电压VCEO80 V 用途通用 作业温度Topr-55~110 degC 正向电流I_FO50 mA 产品分类光耦(光晶体管输出) 装配基础泰国, 日本 RoHS Compatible Product(s) (#)Available