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东芝代理 原装现货 TK5P50D

价 格: 0.10
品牌:TOSHIBA/东芝
型号:TK5P50D
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:L/功率放大
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:1(V)
夹断电压:1(V)
跨导:1(μS)
极间电容:1(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:1(mA)
耗散功率:1(mW)

属性条件
部件型号TK5P50D 
极性N沟 
漏源电压VDSS500 V 
漏电流ID5 A 
漏功耗PD80 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)11 
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.5 Ω 
封装DPAK 
管脚数3 
表面安装型Y 
产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 
装配基础  
RoHS Compatible Product(s) (#)Available 

 

 

上海琼创电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海
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信息内容:

部件型号2SK117 极性N沟 门-漏极电压VGDS-50 V 门电流IG10 mA 漏极电流IDSS, max14 mA 漏极电流IDSS, min1.2 mA 正向传输导纳|Yfs|, min4 mS 封装TO-92 管脚数3 表面安装型N 备注通用 产品分类结型FET(引线型) RoHS Compatible Product(s) (#)Available

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属性值条件部件型号TLP185 * 特征高隔离度电压 封装:外形形状SO6 管脚数4 电路数1 表面安装型Y 等级分类BLL,GB,GR,GRH,GRL,Y,- 转换效率(最小)50%IF=5mA, VCE=5V, rank=- 50%IF=5mA, VCE=5V, rank=Y 100%IF=5mA, VCE=5V, rank=GR 200%IF=5mA, VCE=5V, rank=BLL 100%IF=5mA, VCE=5V, rank=GB 75%IF=5mA, VCE=5V, rank=YH 100%IF=5mA, VCE=5V, rank=GRL 150%IF=5mA, VCE=5V, rank=GRH转换效率()400%IF=5mA, VCE=5V, rank=- 150%IF=5mA, VCE=5V, rank=Y 300%IF=5mA, VCE=5V, rank=GR 400%IF=5mA, VCE=5V, rank=BLL 400%IF=5mA, VCE=5V, rank=GB 150%IF=5mA, VCE=5V, rank=YH 200%IF=5mA, VCE=5V, rank=GRL 300%IF=5mA, VCE=5V, rank=GRH绝缘耐压BVS@1minute (最小)3750 Vrms 集电极-发射极电压VCEO80 V 用途通用 作业温度Topr-55~110 degC 正向电流I_FO50 mA 产品分类光耦(光晶体管输出) 装配基础泰国, 日本 RoHS Compatible Product(s) (#)Available

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