价 格: | 0.10 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
产品类型: | 放大二极管 | |
是否进口: | 是 | |
品牌/商标: | TOSHIBA/东芝 | |
型号/规格: | 1SV239 | |
材料: | 硅(Si) | |
主要参数: | 电压,电流 | |
用途: | L波段VCO | |
备注: | 东芝 |
属性 | 值 | 条件 |
部件型号 | 1SV239 | |
用途 | L波段VCO | |
容量CT(管壳1) | 3.8 to 4.7 pF | VR=2V |
容量CT(管壳2) | 1.5 to 2 pF | VR=10V |
串联电阻 , typ | 0.44 Ω | |
电容率, typ | 2.4 | |
配置 | Single | |
封装 | USC (1.25 x 2.5) | |
管脚数 | 2 | |
表面安装型 | Y | |
产品分类 | 变容二极管(电调谐用器件) | |
反向电压VR | 15 V | |
装配基础 | 日本, 泰国 | |
RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
属性值条件部件型号TK5P50D 极性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID5 A 漏功耗PD80 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)11 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.5 Ω 封装DPAK 管脚数3 表面安装型Y 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 装配基础 RoHS Compatible Product(s) (#)Available
部件型号2SK117 极性N沟 门-漏极电压VGDS-50 V 门电流IG10 mA 漏极电流IDSS, max14 mA 漏极电流IDSS, min1.2 mA 正向传输导纳|Yfs|, min4 mS 封装TO-92 管脚数3 表面安装型N 备注通用 产品分类结型FET(引线型) RoHS Compatible Product(s) (#)Available