仙童进口原装全新场效应管 FQP55N10 55N10
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FQP55N10 55N10 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | GaAS-FET砷化镓 | |
| 开启电压： | 33（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 23（μS） | |
| 极间电容： | 33（pF） | |
| 低频噪声系数： | 33（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 33（mW） |
| 仙童进口原装全新场效应管 FQP55N10 55N10产品图片 |
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仙童进口原装全新场效应管 FQP55N10 55N10 |
| 产品规格 |
仙童进口原装全新场效应管 FQP55N10 55N10
仙童进口原装全新场效应管 FQP55N10 55N10 FQP55N10 55N10 产品规格 参数 PDF
Datasheets FQP55N10 |
| 仙童产品 |
FDR4410 FAIRCHILD |
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| 公司地址 |
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原装墨西哥/中国产地 IRFP360LC IRFP360LCPBF 场效应管全系列
信息内容：原装墨西哥/中国产地 IRFP360LC IRFP360LCPBF 场效应管全系列 原装墨西哥/中国产地 IRFP360LC IRFP360LCPBF 场效应管全系列 IRFP360LC IRFP360LCPBF产品规格 参数 数据列表 IRFP460LC 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2 标准包装 500类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 270 毫欧 @ 12A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3600pF @ 25V 功率 - 280W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP460LCPBF
TOSHIBA东芝全新原装MOS场效应管 2SK3562 K3562
信息内容：TOSHIBA东芝全新原装MOS场效应管 2SK3562 K3562TOSHIBA东芝全新原装MOS场效应管 2SK3562 K3562 2SK3562 K3562产品规格 参数 Datasheets 2SK3562Mosfets Prod GuideProduct Photos 2SK3562(Q)Catalog Drawings TO-220SIS Side 3TO-220SIS Side 2TO-220SIS Side 1Standard Package 50Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries -FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 600VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 6ARds On (Max) @ Id, Vgs 1.25 Ohm @ 3A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mAGate Charge (Qg) @ Vgs 28nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 1050pF @ 25VPower - Max 40WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3 Full PackSupplier Device Package TO-220SISPackaging TubeCatalog Page 1439 (US2011 Interactive)1439 (US2011 PDF)Other Names 2SK3562Q
