【批发零售】FFA30U60DN F30U60DN 仙童全新优势场效应管
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FFA30U60DN F30U60DN | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | SIT静电感应 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 222（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） | |
| 类型： | 其他IC |
【批发零售】FFA30U60DN F30U60DN 仙童全新优势场效应管
【批发零售】FFA30U60DN F30U60DN 仙童全新优势场效应管
FFA30U60DN F30U60DN产品规格 参数
数据列表 FFA30U60DN
产品变化通告 Product Discontinuation 03/Dec/2009
标准包装 30
类别 分离式半导体产品
家庭 二极管，整流器 - 阵列
系列 -
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（） 2.3V @ 30A
电流 - 在 Vr 时反向漏电 15µA @ 600V
电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管） 30A
电压 - (Vr)（） 600V
反向恢复时间(trr) 90ns
二极管型 标准
速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA (Io)
二极管配置 1 对共阴极
安装类型 通孔，径向
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备封装 TO-3PN
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
仙童进口原装全新场效应管 FQP55N10 55N10
信息内容：仙童进口原装全新场效应管 FQP55N10 55N10产品图片dzsc/19/1241/19124106.jpgdzsc/19/1241/19124106.jpg仙童进口原装全新场效应管 FQP55N10 55N10 仙童进口原装全新场效应管 FQP55N10 55N10产品规格仙童进口原装全新场效应管 FQP55N10 55N10 仙童进口原装全新场效应管 FQP55N10 55N10 FQP55N10 55N10 产品规格 参数 PDF Datasheets FQP55N10Product Photos TO-220-3 PkgProduct Training Modules High Voltage Switches for Power ProcessingStandard Package 50Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries QFET™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 100VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 55ARds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 27.5A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 98nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 2730pF @ 25VPower - Max 155WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3Supplier Device Package TO-220Packaging Tube 仙童产品FDR4410 FAIRCHILDFDR4420A FSC FDR6580 FAIRCHILDFDR6674A-NL FAIRCHILD...
原装墨西哥/中国产地 IRFP360LC IRFP360LCPBF 场效应管全系列
信息内容：原装墨西哥/中国产地 IRFP360LC IRFP360LCPBF 场效应管全系列 原装墨西哥/中国产地 IRFP360LC IRFP360LCPBF 场效应管全系列 IRFP360LC IRFP360LCPBF产品规格 参数 数据列表 IRFP460LC 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2 标准包装 500类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 270 毫欧 @ 12A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3600pF @ 25V 功率 - 280W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP460LCPBF
