供应 双向可控硅芯片/裸片/晶圆
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | 裸芯片、晶圆 | |
| 型号/规格： | ITR01-60;ITR01-80 | |
| 反向重复峰值电压： | -（V） | |
| 稳定工作电流： | -（A） | |
| 控制极触发电流： | -（mA） | |
| 极数： | 三极 | |
| 品牌/商标： | 俄罗斯 | |
| 额定正向平均电流： | -（A） | |
| 控制方式： | 双向 | |
| 封装材料： | 塑料封装 |
Wafer Diameter ----100mm
Wafer Thickness -----(290 ± 20)μm
Die Size -----(1.5 × 1.5)mm
Scribe Line Width---- 80μm
Gate Pad------ (220 × 220)μm
Cathode Pad -----(445 × 445)μm
Metallization
Planar Side -------Al (2.0 – 2.2)μm
Collector Side----- Ti (0.1 ± 0.02)μm
Ni------ (0.5 ± 0.10)μm
Ag ------(0.6 ± 0.10)μm
Repetitive Peak Off-State Voltages（ VDRM,VRRM） ----600 /800V
RMS On-State Current IT (RMS) ------ 1A
Peak Non-repetitive Surge Current ITSM ------ 8A( Sine Wave, f = 50Hz,
t = 20ms, Tj =25°С)
- 所属城市：辽宁 丹东
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王娜
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
供应开关二极管芯片、晶圆、裸片 BAV199
信息内容：用途*用于高压、高速开关应用 ■特征:*低正向压降 *较小的总电容 *用于片式封裝 *较短的反向恢复時间 *有效图形数 90000 只左右芯片尺寸：280μm×280μm 压焊区尺寸：φ120μm 芯片厚度：180±10μm 锯片槽宽度：40μm 金属层：正面:Al 2.3±10μm，背面:Au 1.4±10μm 电特性(Ta=25℃) 参数名称符号测试条件最 小最 大典型值单位反向电压VRIR=0.1mA80 130V正向压降VF（1）IF=10mA 1.00.67VVF（2）IF=100mA 1.20.92V反向漏电流IR（1）VR=20V 25 nAIR（2）VR=75V 1 μA总电容CTVR=0, f=1MHZ 3.02.0PF反向恢复时间trrIF=IR=10mA Irr=0.1×IR 4.0 ns
供应MOS场效应管芯片/晶圆/裸片2N7002
信息内容：我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/2N7002，质量保证。0.3A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFETDESCRIPTIONThe 2N7002 uses advanced technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gatevoltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.FEATURES* High Density Cell Design for Low RDS(ON).* Voltage Controlled Small Signal Switch* Rugged and Reliable* High Saturation Current Capability我司可提供相关型号详细资料。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
