10N60 DG10N60 电源开关MOS 场效应管 低价销售
| 价 格： | 2.30 | |
| 品牌： | DG 东光 | |
| 型号： | 10N60 DG10N60 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 夹断电压： | 2-4（V） | |
| 跨导： | 10（μS） | |
| 极间电容： | 1570（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0.1（dB） | |
| 漏极电流： | 9500（mA） | |
| 耗散功率： | 156000（mW） |
dzsc/19/1194/19119421.jpg Features : High input resistance and low drive current |
| DG10N60 VDMOS power transistor Absolute maximum ratings ( Tamb=25oC) 东莞市凤岗四海通电子经营部
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