供应MOS场效应管芯片/晶圆/裸片 IRF730、IRF740
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | WAFER/裸芯片 | |
| 型号/规格： | IRF730、IRF740 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | 进口 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/IRF730、IRF740，质量保证。
芯片基本性质：
芯片型号Model | IRF730 | IRF740 |
芯片尺寸： | 3.2*3.58 | 3.75*5.08 |
硅片直径(㎜) | φ125 | φ125 |
正面电极金属 | 铝 | 铝 |
背面电极金属 | 银 | 银 |
VDSS | 400V | 400V |
RDS(on) | 1.0(max) | 0.55(max) |
ID | 5.5A | 10.0A |
厂家参考封装形式：
芯片型号 | 封装型号 | 封装类型 |
IRF730 | TO-220 | 塑封 |
IRF740 | TO-220 | 塑封 |
我司可提供相关型号详细资料。
我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
- 所属城市：辽宁 丹东
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供应 双向可控硅芯片/裸片/晶圆
信息内容：Wafer Diameter ----100mmWafer Thickness -----(290 ± 20)μmDie Size -----(1.5 × 1.5)mmScribe Line Width---- 80μmGate Pad------ (220 × 220)μmCathode Pad -----(445 × 445)μmMetallizationPlanar Side -------Al (2.0 – 2.2)μmCollector Side----- Ti (0.1 ± 0.02)μmNi------ (0.5 ± 0.10)μmAg ------(0.6 ± 0.10)μmRepetitive Peak Off-State Voltages（ VDRM,VRRM） ----600 /800VRMS On-State Current IT (RMS) ------ 1APeak Non-repetitive Surge Current ITSM ------ 8A( Sine Wave, f = 50Hz,t = 20ms, Tj =25°С)
供应开关二极管芯片、晶圆、裸片 BAV199
信息内容：用途*用于高压、高速开关应用 ■特征:*低正向压降 *较小的总电容 *用于片式封裝 *较短的反向恢复時间 *有效图形数 90000 只左右芯片尺寸：280μm×280μm 压焊区尺寸：φ120μm 芯片厚度：180±10μm 锯片槽宽度：40μm 金属层：正面:Al 2.3±10μm，背面:Au 1.4±10μm 电特性(Ta=25℃) 参数名称符号测试条件最 小最 大典型值单位反向电压VRIR=0.1mA80 130V正向压降VF（1）IF=10mA 1.00.67VVF（2）IF=100mA 1.20.92V反向漏电流IR（1）VR=20V 25 nAIR（2）VR=75V 1 μA总电容CTVR=0, f=1MHZ 3.02.0PF反向恢复时间trrIF=IR=10mA Irr=0.1×IR 4.0 ns
