价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDD9754RH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | UNI/一般用途 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
跨导: | 20000(μS) | |
极间电容: | 440(pF) | |
耗散功率: | 15600(mW) |
Dual Enhancement N-P Channel Trench MOSFET
应用:用于变极器,通用
•封装形式:TO-252-4
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•开启延迟时间:5.9ns
•关断延迟时间:16.5ns
导通电阻:
N-Channel P-Channel
RDS(ON) RDS(ON)
<27m? @ VGS = 10V <43m? @ VGS = -10V
<35m? @ VGS = 4.5V <58m? @ VGS = -4.5V
"
• VDS=900V • ID=5.8A• 导通电阻:R<2Ω• 总耗散功率:210W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
•封装形式:TO-3P•导通电阻:RDS(ON)=1.0Ω•ID=9A•VDSS=900V•PD=150W•储存温度范围:-55 ~ 150°C•上升时间:25ns•下降时间:20ns