价 格: | 1.10 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IRF7201TRPBF | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | S/开关 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
功率 - 值: | 2.5W | |
电流: | 7.3A | |
电压: | 30V |
代V技术
超低导通电阻
N-沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带和卷轴
动态dv / dt额定值
快速切换
第五代HEXFET®功率MOSFET
国际整流器采用先进的加工
技术,以实现极低的导通电阻
每硅片面积。这样做的好处,结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计,
HEXFETMOSFET是众所周知的,提供了
设计师与一个非常有效和可靠的设备
用于各种各样的应用中。
SO-8已被修改通过定制的
引线框架和热特性增强
多模能力,使其成为理想中各种
功耗的应用。有了这些改进,多
在一个应用程序的器件可用于与显着
减少电路板空间。该软件包是专为
汽相,红外线,或波峰焊技术。
大于0.8W的功耗有可能在
一个典型的PCB装载应用程序。
公司简介
深圳四海联创电子科技有限公司是一家分销国内外知名品牌电子元器件的科技公司。本公司以“优越的产品质量、优惠的价格、稳定的货源、真诚的服务态度”,常年备有大量全新原装现货和良好的进货渠道,品种齐全,具有特强的能力为各大客户和厂商进行综合性电子元器件配套服务。
公司经营产品广泛:存储IC、通讯IC、驱动IC、放大IC、内存、闪存、等IC集成电路。开关管、PIN管、整流管、肖特基管、变容管、稳压管、高频管、音频管、射频管、场效应管、达林顿管、复合管、带阻管、闸流管、微波管、大小中功率管等系列贴片二、三极管。钽电容、电容、电阻、电感、磁珠、发光管等各系列贴片电子元件。
经营品牌:MITSUMI、FUJITSU、ATMEL.RICOH、NEC、SII、ON、AGAMEM、PIXEL、ROHM、JRC、 PHILIPS、INFINEON、 TDK、FAIRCHILD、ROHM、ON、VISHAY、TOSHIBA、TOREX、SEMTECH、SEIKO、NEC、KEC、ST、NSC、JRC、TI、HITACHI、AD、SONY、ZETEX、IR、LT、AGILENT、MAXIM、INLINX、ALTERA、等国内外各大品牌。
产品广泛应用于民用、工业、军事领域的网络、数码,仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、LED照明,监控摄像头等。 随着科学技术的进步与发展,公司所有产品实行ROHS指令,推出绿色环保【PB】的高等品质产品,可为客户提供技术支持和产品解决方案!同时产品远销欧,美,日,韩及台湾等世界各地,加上我们一流服务由此深受国内外厂家与经销商的信赖与支持!
封装图片展示
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参数FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能 逻辑电平门漏源极电压 (Vdss) 100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 7.3A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 22 毫欧 @ 4.4A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 51nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1530pF @ 25V功率 - 值 2.5W应用高频率DC-DC转换器优点低栅极漏极电荷减少开关损耗充分界定电容包括有效COSS为了简化设计,(见应用程序。注AN1001)充分界定雪崩电压和电流封装图片展示dzsc/19/1291/19129106.jpgdzsc/19/1291/19129106.jpgdzsc/19/1291/19129106.jpgdzsc/19/1291/19129106.jpgdzsc/19/1291/19129106.jpgdzsc/19/1291/19129106.jpg
概述FDS6900S的目的是取代两个单一的SO-8MOSFET和肖特基二极管同步DC:DC提供各种外设电压的电源供应器,为笔记本电脑和其它电池供电的电子设备。FDS6900S包含两个独特30V,N沟道逻辑电平,PowerTrench MOSFET的旨在限度地提高功率转换效率。高侧开关(Q1)与特定的设计强调降低开关损耗,而低边开关(Q2)进行了优化,以减少传导的损失。Q2也包括集成肖特基二极管采用飞兆半导体单片SyncFET技术。特点Q2:优化,以限度地减少传导损耗 包括SyncFET体二极管肖特基 8.2A,30VRDS(上) =22MΩ@VGS = 10V RDS(上) =29mΩ@ VGS = 4.5VQ1:优化的低开关损耗 低栅极电荷(典型值为8 NC) 6.9A,30VRDS(上) =30MΩ@VGS = 10V RDS(上) =37MΩ@ VGS = 4.5Vdzsc/19/2102/19210213.jpgdzsc/19/2102/19210213.jpgdzsc/19/2102/19210213.jpgdzsc/19/2102/19210213.jpgdzsc/19/2102/19210213.jpg"