深圳公司现货仙童增强型MOS管SOP-8原装FDS6900S场效应管
| 价 格： | 1.00 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | FDS6900S | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 沟道类型： | 2,个,N,沟道（双） | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装： | SOP-8 | |
| 类型： | 其他IC | |
| 应用范围： | 放大 |
概述
FDS6900S的目的是取代两个单一的SO-8
MOSFET和肖特基二极管同步DC：DC
提供各种外设电压的电源供应器，
为笔记本电脑和其它电池供电的
电子设备。FDS6900S包含两个独特
30V，N沟道逻辑电平，PowerTrench MOSFET的
旨在限度地提高功率转换效率。
高侧开关（Q1）与特定的设计
强调降低开关损耗，而低
边开关（Q2）进行了优化，以减少传导
的损失。Q2也包括集成肖特基二极管
采用飞兆半导体单片SyncFET技术。
特点
Q2：优化，以限度地减少传导损耗
包括SyncFET体二极管肖特基
8.2A，30VRDS（上）
=22MΩ@VGS = 10V
RDS（上）
=29mΩ@ VGS = 4.5V
Q1：优化的低开关损耗
低栅极电荷（典型值为8 NC）
6.9A，30VRDS（上）
=30MΩ@VGS = 10V
RDS（上）
=37MΩ@ VGS = 4.5V
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深圳公司现货仙童增强型MOS管SOP-8原装FDS7766场效应管
信息内容：FDS776630V N沟道PowerTrench MOSFET概述N-沟道MOSFET而设计专门用于提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或常规开关PWM控制器。它已被优化为“低边”同步整流的运作，提供了一个非常低的RDS（ON） 在一个小型封装。应用•同步整流•DC/ DC转换器 特点•17 A，30 V的RDS（ON） = 5MΩ@ VGS =10 V RDS（ON） 6MΩ@ VGS= 4.5 V•高性能沟道技术极低RDS（ON） •高功率和电流处理能力•快速开关dzsc/19/2112/19211245.jpgdzsc/19/2112/19211245.jpgdzsc/19/2112/19211245.jpgdzsc/19/2112/19211245.jpgdzsc/19/2112/19211245.jpg
FAIRCHILD/仙童 N沟道 MOS管FDS9936A场效应管 100%原装
信息内容：概述SO-8 N-沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。这非常高的密度过程中，特别是针对提供出色的开关性能和限度地减少通态电阻。这些设备特别适用于低电压应用，如磁盘驱动马达控制，电池供电电路中快速开关，低线的功率损耗，以及抗瞬变是必要的。dzsc/19/2443/19244359.jpgdzsc/19/2443/19244359.jpgdzsc/19/2443/19244359.jpgdzsc/19/2443/19244359.jpg "
