12+深圳公司现货IR功率MOS管SOP-8原装IRF7495TRPBF场效应管
| 价 格： | 1.10 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF7495TRPBF | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率 - 值： | 2.5W | |
| 电流 - 连续漏极： | 7.3A | |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 100V | |
| 类型： | 其他IC |
参数
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 7.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 22 毫欧 @ 4.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 51nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1530pF @ 25V
功率 - 值 2.5W
应用
高频率DC-DC转换器
优点
低栅极漏极电荷减少开关损耗
充分界定电容包括
有效COSS为了简化设计，（见应用程序。注AN1001）
充分界定雪崩电压和电流
封装图片展示
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- 所属城市：广东 深圳
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深圳公司现货仙童增强型MOS管SOP-8原装FDS6900S场效应管
信息内容：概述FDS6900S的目的是取代两个单一的SO-8MOSFET和肖特基二极管同步DC：DC提供各种外设电压的电源供应器，为笔记本电脑和其它电池供电的电子设备。FDS6900S包含两个独特30V，N沟道逻辑电平，PowerTrench MOSFET的旨在限度地提高功率转换效率。高侧开关（Q1）与特定的设计强调降低开关损耗，而低边开关（Q2）进行了优化，以减少传导的损失。Q2也包括集成肖特基二极管采用飞兆半导体单片SyncFET技术。特点Q2：优化，以限度地减少传导损耗 包括SyncFET体二极管肖特基 8.2A，30VRDS（上） =22MΩ@VGS = 10V RDS（上） =29mΩ@ VGS = 4.5VQ1：优化的低开关损耗 低栅极电荷（典型值为8 NC） 6.9A，30VRDS（上） =30MΩ@VGS = 10V RDS（上） =37MΩ@ VGS = 4.5Vdzsc/19/2102/19210213.jpgdzsc/19/2102/19210213.jpgdzsc/19/2102/19210213.jpgdzsc/19/2102/19210213.jpgdzsc/19/2102/19210213.jpg"
深圳公司现货仙童增强型MOS管SOP-8原装FDS7766场效应管
信息内容：FDS776630V N沟道PowerTrench MOSFET概述N-沟道MOSFET而设计专门用于提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或常规开关PWM控制器。它已被优化为“低边”同步整流的运作，提供了一个非常低的RDS（ON） 在一个小型封装。应用•同步整流•DC/ DC转换器 特点•17 A，30 V的RDS（ON） = 5MΩ@ VGS =10 V RDS（ON） 6MΩ@ VGS= 4.5 V•高性能沟道技术极低RDS（ON） •高功率和电流处理能力•快速开关dzsc/19/2112/19211245.jpgdzsc/19/2112/19211245.jpgdzsc/19/2112/19211245.jpgdzsc/19/2112/19211245.jpgdzsc/19/2112/19211245.jpg
