供应IR原装MOS ——IRFB23N20D
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFB23N20D | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 开启电压： | 5.5（V） | |
| 夹断电压： | 30（V） | |
| 跨导： | 13000（μS） | |
| 极间电容： | 1960（pF） | |
| 漏极电流： | 24000（mA） | |
| 耗散功率： | 170000（mW） |
•导通电阻：RDS(on) = 0.1Ω
•封装形式：TO-220AB上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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信息内容：Dual Enhancement N-P Channel Trench MOSFET 应用：用于变极器，通用•封装形式：TO-252-4 •工作温度范围：-55 ~ 150°C •开启延迟时间：5.9ns •关断延迟时间：16.5ns 导通电阻：N-Channel P-ChannelRDS(ON) RDS(ON)<27m? @ VGS = 10V <43m? @ VGS = -10V<35m? @ VGS = 4.5V <58m? @ VGS = -4.5V "
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