场效应管 MTD2N50E T2N50E MTD2N50
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 2A | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | MTD2N50E,MOS,500V,2A,3.6Ω,252 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | 0N/安森美 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 夹断电压： | 20 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 极间电容： | 450 |
产品型号:MTD2N50E
封装:SOT-252/DPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.6 @VGS =10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
极间电容Ciss(PF):323
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(ms)：1.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):100
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,2A N-Channel 功率MOSFET
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场效应管 STP27N3LH5,STP21N90K5,27N3LH5
信息内容：产品型号:STP27N3LH5特点 * RDS(ON)Qg和行业基准 * 极低的导通电阻RDS(on) * 极低的开关栅极电荷 * 高雪崩坚固耐用 * 低栅极驱动器的功率损耗应用 * 开关应用封装:TO-220源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±22漏极电流Id(A):27源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):1 MIN.功率PD(W):45输入电容Ciss(PF):475 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩能量EAS(mJ):50导通延迟时间Td(on)(ns):4 typ.上升时间Tr(ns):22 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):13 typ.下降时间Tf(ns):2.8 typ.温度(℃): -55 ~175描述:30V,27A N-沟道增强型场效应晶体管This STripFE V Power MOSFET technology is among the latest improvements,which have been especially tailored to achieve very low on-stateresistance providing also one of the best-in-class figure of merit (FOM).(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 RJK0365DPA,RJK0355DPA
信息内容：产品型号:RJK0365DPA特点 * 高速开关 * 可4.5 V栅极驱动器 * 低驱动电流 * 高密度安装 * 低导通电阻RDS(ON)= 7.0mΩ TYP.(VGS=10V) * 无铅封装:QFN-8 5*6/WPAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):30源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0091 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):2.5功率PD(W):30输入电容Ciss(PF):1180 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：60单脉冲雪崩能量EAR(mJ):14.4导通延迟时间Td(on)(ns):5.4 typ.上升时间Tr(ns):4 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):34 typ.下降时间Tf(ns):4.3 typ.温度(℃): -55 ~150描述:30V,30A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
