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场效应管 RJK0365DPA,RJK0355DPA

价 格: 面议
封装外形:SMD(SO)/表面封装
型号/规格:RJK0365DPA,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,N场,30V,30A,0.0091Ω
材料:N-FET硅N沟道
用途:S/开关
品牌/商标:RENESAS/瑞萨
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:增强型

产品型号:RJK0365DPA
特点
 * 高速开关
 * 可4.5 V栅极驱动器
 * 低驱动电流
 * 高密度安装
 * 低导通电阻RDS(ON)= 7.0mΩ TYP.(VGS=10V)
 * 无铅

封装:QFN-8 5*6/WPAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):30

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0091 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):30

输入电容Ciss(PF):1180 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):60

单脉冲雪崩能量EAR(mJ):14.4

导通延迟时间Td(on)(ns):5.4 typ.

上升时间Tr(ns):4 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):34 typ.

下降时间Tf(ns):4.3 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,30A N-沟道增强型场效应晶体管


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深圳市金城微零件有限公司
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场效应管 BUK9209-40B BUK9209

信息内容:

BUK9209-40B,SOT-252,NXP/恩智浦,SMD/MOS,N场,40V,99A,0.007Ω<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您!全新!价格优惠!现货供应!MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.PHILIPS/NXP MOSFET场效应管系列:BUK9209-40B,SOT-252,NXP/恩智浦,SMD/MOS,N场,40V,99A,0.007ΩPHB87N03LT,SOT-263,NXP/恩智浦,SMD/MOS,N场,25V,75A,0.0095ΩBUK7L06-34ARC TO-220 NXP/恩智浦 DIP/MOS N场 34V 147A 0.005ΩBUK7L11-34ARC TO-220 NXP/恩智浦 DIP/MOS N场 34V 80A 0.011ΩBUK109,PHB96NQ03 ,PHP160NQ08,PHB50N03,PHD78NQ03PHP14NQ20,PHB55N03,PSMN025-100,PHD3055,PHD45N03PSMN010-55,PHP45N03,PHD78NQ03LT ,PHP33NQ20TPHP9NQ20,BUK481,PHD37N06,PHD55N03,PHD98N03PHP98N03,BUK7524,PHB69N03,PHB95N03LTA,PHB96NQ03LTPHB98N03,PHP108NQ03,PHP55N03,PHP78NQ03,BUK9510PHP45N03LTA,PHP52N06T,PHX7NQ60,PH5330,PHB50N03LTPHD101NQ03,PHD63NQ03,PHB45N03,PHB83N03,PHB95N03BUK752R7-30B,TO-220,30V,2...

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