场效应管 STP27N3LH5,STP21N90K5,27N3LH5
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | STP27N3LH5,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,27A,0.02Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:STP27N3LH5
特点
* RDS(ON)Qg和行业基准
* 极低的导通电阻RDS(on)
* 极低的开关栅极电荷
* 高雪崩坚固耐用
* 低栅极驱动器的功率损耗
应用
* 开关应用
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±22
漏极电流Id(A):27
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):1 MIN.
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):475 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):50
导通延迟时间Td(on)(ns):4 typ.
上升时间Tr(ns):22 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):13 typ.
下降时间Tf(ns):2.8 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,27A N-沟道增强型场效应晶体管
This STripFE V Power MOSFET technology is among the latest improvements,
which have been especially tailored to achieve very low on-state
resistance providing also one of the best-in-class figure of merit (FOM).
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场效应管 RJK0365DPA,RJK0355DPA
信息内容：产品型号:RJK0365DPA特点 * 高速开关 * 可4.5 V栅极驱动器 * 低驱动电流 * 高密度安装 * 低导通电阻RDS(ON)= 7.0mΩ TYP.(VGS=10V) * 无铅封装:QFN-8 5*6/WPAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):30源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0091 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):2.5功率PD(W):30输入电容Ciss(PF):1180 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：60单脉冲雪崩能量EAR(mJ):14.4导通延迟时间Td(on)(ns):5.4 typ.上升时间Tr(ns):4 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):34 typ.下降时间Tf(ns):4.3 typ.温度(℃): -55 ~150描述:30V,30A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
场效应管 STP40NF10,P40NF10,40NF10
信息内容：产品型号:KIA1404A1. 特点 * 无铅 * 低RDS（ON），以限度地减少导电损耗 * 低栅极变化快速开关应用 * 的BVDSS能力2. 应用 * 电源 * DC-DC转换器封装:TO-220源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40漏极电流Id(A):164源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4输入电容Ciss(PF):4037 typ.通道极性:N沟道单脉冲雪崩能量EAS(mJ):630导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.上升时间Tr(ns):61 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):46 typ.下降时间Tf(ns):27 typ.温度(℃): -55 ~150描述:40V,164A,0.004Ω N-沟道增强型场效应晶体管"
