场效应管 LZPF7N65 7N65 PFF4N60
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | LITEON/光宝 | |
| 型号/规格： | LZPF7N65,MOS,650V,7A,1.2Ω PFF4N60,MOS,600V,4.1A,2.2Ω,220F | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | 25 , 30 | |
| 开启电压： | 5 , 4 | |
| 漏极电流： | 7A , 4.1A |
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LZPF7N65,MOS,650V,7A,1.2Ω PFF4N60,MOS,600V,4.1A,2.2Ω,220F
Features
• Avalanche Rugged Technology
• Rugged Gate Oxide Technology
• High di/dt Capability
• Improved Gate Charge
• Wide Expanded Safe Operating Area
Application
•SMPS
• High Power Switching
•Monitor
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- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 MTD2N50E T2N50E MTD2N50
信息内容：产品型号:MTD2N50E封装:SOT-252/DPAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):2源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.6 @VGS =10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40极间电容Ciss(PF):323通道极性:N沟道低频跨导gFS(ms)：1.6单脉冲雪崩能量EAS(mJ):100温度(℃): -55 ~150描述:500V,2A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 STP27N3LH5,STP21N90K5,27N3LH5
信息内容：产品型号:STP27N3LH5特点 * RDS(ON)Qg和行业基准 * 极低的导通电阻RDS(on) * 极低的开关栅极电荷 * 高雪崩坚固耐用 * 低栅极驱动器的功率损耗应用 * 开关应用封装:TO-220源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±22漏极电流Id(A):27源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):1 MIN.功率PD(W):45输入电容Ciss(PF):475 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩能量EAS(mJ):50导通延迟时间Td(on)(ns):4 typ.上升时间Tr(ns):22 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):13 typ.下降时间Tf(ns):2.8 typ.温度(℃): -55 ~175描述:30V,27A N-沟道增强型场效应晶体管This STripFE V Power MOSFET technology is among the latest improvements,which have been especially tailored to achieve very low on-stateresistance providing also one of the best-in-class figure of merit (FOM).(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
